研究会情報 |
研究会 |
ICD |
開催期間 |
2013-04-11 - 2013-04-12 |
開催地(和) |
産業技術総合研究所 つくばセンター |
開催地(英) |
Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
テーマ(和) |
メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 |
テーマ(英) |
Memory Device Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2013-04-ICD |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けVset/reset(3V)、Vpgm(20V)生成回路の設計 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Design of Vset/reset(3V), Vpgm(20V) generator system for 3D-ReRAM and NAND flash memory hybrid solid-state drives |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
畑中 輝義 / Teruyoshi Hatanaka / ハタナカ テルヨシ |
第1著者 所属(和/英) |
中央大学/東京大学 (略称: 中大/東大)
Chuo university/University of Tokyo (略称: Chuo Univ./Univ. of Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ |
第2著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo university (略称: Chuo Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
蜂谷 尚悟 / Shogo Hachiya / ハチヤ ショウゴ |
第3著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo university (略称: Chuo Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
第4著者 所属(和/英) |
中央大学 (略称: 中大)
Chuo university (略称: Chuo Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 所属(和/英) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2013-04-12 11:35:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2013-16 |
巻番号(vol) |
vol.113 |
号番号(no) |
no.1 |
ページ範囲 |
pp.79-84 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2013-04-04 (ICD) |