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講演抄録/キーワード
講演名 2013-04-12 09:20
[招待講演]車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 ~ 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現 ~
小川大也河野隆司伊藤 孝鶴田 環西山崇之長澤 勉川嶋祥之日高秀人山内忠昭ルネサス エレクトロニクスエレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-13
抄録 (和) 混載フラッシュメモリを備えたマイクロコントローラ(フラッシュMCU)の市場は、1990年代以降、着実に成長している。特に、自動車の分野では、燃料効率や安全性および複雑なリアルタイム制御のために、フラッシュMCUは不可欠になっている。このため混載フラッシュメモリに対しては、大容量かつ超高速ランダム・リード・アクセスが求められている。また、自動車のエンジンルーム内などの高温環境(Tj=170℃)でも正常な書き込み/消去動作を行わなければならない。我々は、40nm世代の混載プロセスを用いてこれらの車載用途に要求される条件を満たしたフラッシュマクロを開発した。 
(英) The markets of Flash MCUs, microcontrollers with embedded flash memory (eFlash), have been steadily growing since the middle of 1990s. Especially, in automotive, Flash MCUs have become essential to realize higher fuel-efficiency, higher safety, and more convenient operativity by the complicated real-time controls. For this reason, high density and high speed random read access are strongly required for eFlash. In addition, what characterizes the requirements for eFlash in automotive are secured operations and data reliability with the excellent program/erase (P/E) cycling under high temperature. We investigate 40nm Embedded SG-MONOS Flash Macros for Automotive.
キーワード (和) 車載向け / 160MHzランダムアクセス / SG-MONOS / / / / /  
(英) for Automotive / 160MHz Random Access / SG-MONOS / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-13, pp. 61-66, 2013年4月.
資料番号 ICD2013-13 
発行日 2013-04-04 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2013-04-11 - 2013-04-12 
開催地(和) 産業技術総合研究所 つくばセンター 
開催地(英) Advanced Industrial Science and Technology (AIST) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2013-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 車載向け高速、高信頼性40nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発 
サブタイトル(和) 160MHzランダムアクセス可能コード領域と10M回書き換え可能データ領域の実現 
タイトル(英) High Performance and High Reliability 40nm Embedded SG-MONOS Flash Macros for Automotive 
サブタイトル(英) 160MHz Random Access for Code and Endurance Over 10M Cycles for Data 
キーワード(1)(和/英) 車載向け / for Automotive  
キーワード(2)(和/英) 160MHzランダムアクセス / 160MHz Random Access  
キーワード(3)(和/英) SG-MONOS / SG-MONOS  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 大也 / Tomoya Ogawa / オガワ トモヤ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鶴田 環 / Tamaki Tsuruda / ツルダ タマキ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 崇之 / Takayuki Nishiyama / ニシヤマ タカユキ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 長澤 勉 / Tsutomu Nagasawa / ナガサワ ツトム
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 川嶋 祥之 / Yoshiyuki Kawashima / カワシマ ヨシユキ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 日高 秀人 / Hideto Hidaka / ヒダカ ヒデト
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 山内 忠昭 / Tadaaki Yamauchi /
第9著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者
発表日時 2013-04-12 09:20:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2013-13 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.61-66 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2013-04-04 


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