講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-04-12 14:45
[依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一(半導体理工学研究センター)・川澄 篤(東芝)・宮野信治・篠原尋史(半導体理工学研究センター)・桜井貴康(東大) ICD2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-20 |
抄録 |
(和) |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した。このチャージコレクタ回路は、低電圧動作SRAMでの2つの無駄な消費電力を削減する。
それは、トランジスタのランダム・バラツキの影響による、ビット線振幅量の増加と、非選択カラムのビット線での無駄なビット線の振幅である。本技術により、世界最小の低消費電力13.8pJ/Access/Mbitを達成した。 |
(英) |
1Mb SRAM with charge collector circuits for effective use of non-selected bit line charges has been fabricated in 40nm technology. These circuits reduce two major wasted power sources of the low voltage SRAM: excess bit line swing due to random variation and bit line swing of non-selected columns. The lowest power consumption of 13.8pJ/Access/Mbit in the previous works has been achieved. |
キーワード |
(和) |
SRAM / 階層ビット線 / 非選択カラム / チャージシェア / / / / |
(英) |
SRAM / Hierarchical Bit Line / Non-Selected Column / Charge Share / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-20, pp. 103-108, 2013年4月. |
資料番号 |
ICD2013-20 |
発行日 |
2013-04-04 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-20 |