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講演抄録/キーワード
講演名 2013-04-12 14:45
[依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
森脇真一山本安衛鈴 木 利 一半導体理工学研究センター)・川澄 篤東芝)・宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大ICD2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-20
抄録 (和) 本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した。このチャージコレクタ回路は、低電圧動作SRAMでの2つの無駄な消費電力を削減する。
それは、トランジスタのランダム・バラツキの影響による、ビット線振幅量の増加と、非選択カラムのビット線での無駄なビット線の振幅である。本技術により、世界最小の低消費電力13.8pJ/Access/Mbitを達成した。 
(英) 1Mb SRAM with charge collector circuits for effective use of non-selected bit line charges has been fabricated in 40nm technology. These circuits reduce two major wasted power sources of the low voltage SRAM: excess bit line swing due to random variation and bit line swing of non-selected columns. The lowest power consumption of 13.8pJ/Access/Mbit in the previous works has been achieved.
キーワード (和) SRAM / 階層ビット線 / 非選択カラム / チャージシェア / / / /  
(英) SRAM / Hierarchical Bit Line / Non-Selected Column / Charge Share / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-20, pp. 103-108, 2013年4月.
資料番号 ICD2013-20 
発行日 2013-04-04 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2013-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-20

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2013-04-11 - 2013-04-12 
開催地(和) 産業技術総合研究所 つくばセンター 
開催地(英) Advanced Industrial Science and Technology (AIST) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2013-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 13.8pJ/Access/Mbit SRAM with Charge Collector Circuits for Effective Use of Non-Selected Bit Line Charges 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) 階層ビット線 / Hierarchical Bit Line  
キーワード(3)(和/英) 非選択カラム / Non-Selected Column  
キーワード(4)(和/英) チャージシェア / Charge Share  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森脇 真一 / Shinichi Moriwaki / モリワキ シンイチ
第1著者 所属(和/英) (株)半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 安衛 / Yasue Yamamoto / ヤマモト ヤスエ
第2著者 所属(和/英) (株)半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴 木 利 一 / Toshikazu Suzuki / スズキ トシカズ
第3著者 所属(和/英) (株)半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ
第5著者 所属(和/英) (株)半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第6著者 所属(和/英) (株)半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 桜井 貴康 / Takayasu Sakurai / サクライ タカヤス
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-04-12 14:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2013-20 
巻番号(vol) vol.113 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.103-108 
ページ数
発行日 2013-04-04 (ICD) 


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