お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年6月開催)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2013-04-11 17:30
[パネル討論]スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ~ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える? ~
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・遠藤哲郎東北大)・加藤佳一パナソニック)・半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・川澄 篤東芝)・三輪 達サンディスクICD2013-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-11
抄録 (和) 近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれらの新不揮発メモリは、既存のSRAM、DRAMやフラッシュメモリを置き換えていく可能性がある。今後の展望について、各専門分野の著名な方にご登壇頂き、パネルディスカッションする。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) 不揮発メモリ / スタティックRAM / ダイナミックRAM / 抵抗変化型メモリ / 相変化メモリ / フラッシュメモリ / 強誘電体メモリ / 磁性体メモリ  
(英) nonvolatile memory / SRAM / DRAM / ReRAM / phase change memory / flash memory / FeRAM / MRAM  
文献情報 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-11, pp. 53-53, 2013年4月.
資料番号 ICD2013-11 
発行日 2013-04-04 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2013-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2013-11

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2013-04-11 - 2013-04-12 
開催地(和) 産業技術総合研究所 つくばセンター 
開催地(英) Advanced Industrial Science and Technology (AIST) 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2013-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 
サブタイトル(和) 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える? 
タイトル(英) Future prospects of memory solutions for smart society 
サブタイトル(英) Can new nonvolatile memories replace SRAM/DRAM/Flash? 
キーワード(1)(和/英) 不揮発メモリ / nonvolatile memory  
キーワード(2)(和/英) スタティックRAM / SRAM  
キーワード(3)(和/英) ダイナミックRAM / DRAM  
キーワード(4)(和/英) 抵抗変化型メモリ / ReRAM  
キーワード(5)(和/英) 相変化メモリ / phase change memory  
キーワード(6)(和/英) フラッシュメモリ / flash memory  
キーワード(7)(和/英) 強誘電体メモリ / FeRAM  
キーワード(8)(和/英) 磁性体メモリ / MRAM  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第1著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Erctronics (略称: Renesas Erctronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツロウ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 佳一 / Yoshikazu Katoh / カトウ ヨシカズ
第3著者 所属(和/英) パナソニック (略称: パナソニック)
Panasonic (略称: Panasonic)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 半澤 悟 / Satoru Hanzawa / ハンザワ サトル
第4著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi (略称: Hitachi)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶谷 一彦 / Kazuhiko Kajigaya / カジガヤ カズヒコ
第5著者 所属(和/英) エルピーダメモリ (略称: エルピーダメモリ)
Elpida Memory (略称: Elpida Memory)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 川澄 篤 / Atsushi Kawasumi / カワスミ アツシ
第6著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 三輪 達 / Toru Miwa / ミワ トウル
第7著者 所属(和/英) サンディスク (略称: サンディスク)
SanDisk (略称: SanDisk)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2013-04-11 17:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2013-11 
巻番号(vol) IEICE-113 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 p.53 
ページ数 IEICE-1 
発行日 IEICE-ICD-2013-04-04 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会