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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-04-11 16:20 スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 ○辻 幸秀・根橋竜介・崎村 昇・森岡あゆ香・本庄弘明・徳留圭一・三浦貞彦（NEC）・鈴木哲広（ルネサス エレクトロニクス）・深見俊輔・木下啓藏・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC）  ICD2013-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-9 |
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| 抄録 | （和） | 磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラー率を$P$ (<<1)とした場合の論理ゲートのエラー率を～2・$P$から～6・$P^2$に低減した。また、冗長化による以下のオーバーヘッド、(1)面積の増加、(2)実効的な読み出し抵抗の低下、(3)素子数増加による書き込み時の消費電力の増大、に関して検討した。 |
| （英） | Implementing redundancy within a Spintronis Primitive Gata (SPG) using multi-terminal DWM cells ensures high reliability for the logic use. The overheads of this technique, such as cell area, read margin, and write power consumption, have also been investigated. | |
| キーワード | （和） | スピン / 集積回路 / 論理ゲート / 冗長化 / / / / |
| （英） | Spintronics / LSI / Primitive Gates / Redundancy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-9, pp. 41-46, 2013年4月. | |
| 資料番号 | ICD2013-9 | |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2013-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2013-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2013-04-11 - 2013-04-12 |
| 開催地（和） | 産業技術総合研究所 つくばセンター |
| 開催地（英） | Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2013-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly Reliable Logic Primitive Gates for Spintronics-Based Logic LSI |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピン / Spintronics |
| キーワード(2)（和/英） | 集積回路 / LSI |
| キーワード(3)（和/英） | 論理ゲート / Primitive Gates |
| キーワード(4)（和/英） | 冗長化 / Redundancy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 幸秀 / Yukihide Tsuji / ツジ ユキヒデ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根橋 竜介 / Ryusuke Nebashi / ネバシ リュウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 崎村 昇 / Noboru Sakimura / サキムラ ノボル |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 あゆ香 / Ayuka Morioka / モリオカ アユカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本庄 弘明 / Hiroaki Honjo / ホンジョウ ヒロアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳留 圭一 / Keiichi Tokutome / トクトメ ケイイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 貞彦 / Sadahiko Miura / ミウラ サダヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 哲広 / Tetsuhiro Suzuki / スズキ テツヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas Electronics Corp.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深見 俊輔 / Shunsuke Fukami / フカミ シュンスケ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 啓藏 / Keizo Kinoshita / キノシタ ケイゾウ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽生 貴弘 / Takahiro Hanyu / ハニュウ タカヒロ |
| 第11著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツヒロ |
| 第12著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笠井 直記 / Naoki Kasai / カサイ ナオキ |
| 第13著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第14著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉林 直彦 / Tadahiko Sugibayashi / スギバヤシ ナオヒコ |
| 第15著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-04-11 16:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2013-9 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-04-04 (ICD) |
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