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講演抄録/キーワード
講演名 2013-03-08 13:40
キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価
薄葉 俊馬場 暁新保一成加藤景三金子双男新潟大)・皆川正寛長岡高専エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2012-107
抄録 (和) 有機電界発光素子において報告されているキャリア発生層を、有機電界効果トランジスタに適用した。ペンタセン薄膜トランジスタに五酸化バナジウム(V2O5)を材料とするキャリア発生層を挿入したところ、挿入無しの場合に比べ約2.5倍のドレイン電流が観測された。またペンタセンとV2O5の共蒸着層を挿入したところ、さらに倍程度の電流となり大きな効果が確認された。このような電流増加にはペンタセンとV2O5の電荷移動(CT)錯体の形成が関与していると考えられ、共蒸着層ではCT錯体の形成が顕著になったためと考えられた。 
(英) In this study, carrier generation layers which have been used in organic light-emitting diodes were adopted to organic field-effect transistors. The drain current of the pentacene FET with carrier generation layer of vanadium pentoxide (V2O5) was 2.5 times as large as that without the layer. Furthermore, remarkable effect was observed by inserting co-evaporation layer of V2O5 and pentacene. It was considered that formations of a charge-transfer (CT) complex of V2O5 and pentacene was related to the large drain currents, and formation of CT-complex was significant in co-evaporation layer.
キーワード (和) 五酸化バナジウム / ペンタセン / キャリア発生層 / OFET / / / /  
(英) Vanadium Pentoxide / Pentacene / Carrier generation layer / OFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 469, OME2012-107, pp. 9-12, 2013年3月.
資料番号 OME2012-107 
発行日 2013-03-01 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2013-03-08 - 2013-03-08 
開催地(和) 機械振興会館 B1-2 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B1-2 
テーマ(和) 有機エレクトロニクス,一般 
テーマ(英) Organic Electronics and Related Subsjects 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2013-03-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Structure and Characteristics of Pentacene Field-Effect Transistors with Carrier Generation Layer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 五酸化バナジウム / Vanadium Pentoxide  
キーワード(2)(和/英) ペンタセン / Pentacene  
キーワード(3)(和/英) キャリア発生層 / Carrier generation layer  
キーワード(4)(和/英) OFET / OFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 薄葉 俊 / Shun Usuba / ウスバ シュン
第1著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 馬場 暁 / Akira Baba / ババ アキラ
第2著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 新保 一成 / Kazunari Shinbo / シンボ カズナリ
第3著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 景三 / Keizo Kato / カトウ ケイゾウ
第4著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 金子 双男 / Futao Kaneko / カネコ フタオ
第5著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 皆川 正寛 / Masahiro Minagawa / ミナガワ マサヒロ
第6著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校 (略称: 長岡高専)
Nagaoka National College of Technology (略称: NNCT)
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講演者
発表日時 2013-03-08 13:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 OME 
資料番号 IEICE-OME2012-107 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.469 
ページ範囲 pp.9-12 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OME-2013-03-01 


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