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講演抄録/キーワード
講演名 2013-02-27 16:05
フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性
孫 屹木村祐太前元利彦佐々誠彦阪工大)・葛西誠也北大ED2012-133 SDM2012-162 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-133 SDM2012-162
抄録 (和) 酸化物半導体のデバイス応用として,セルフスイッチング型ナノダイオード(Self Switching nano-Diode;SSD)に着目した.SSDは高速で動作する新機能ナノデバイスとして注目されており,高周波動作やフレキシブル基板上にSSDを作製した報告もあり,将来,安価なRFIDタグに応用できるデバイスとして有望と考えられている.我々はワイドギャップ半導体である酸化亜鉛(ZnO)をガラス基板上に成膜し,電子ビーム露光とウェットエッチングを用いた室温プロセスによってZnO-SSD を作製した.さまざまな寸法を持つSSDについて,それらの整流特性を評価した.さらにフレキシブルなSSDの開発を目的として,プラスチックであるポリエチレンナフタレート(PEN)基板上にもZnO-SSDを作製し,曲げ耐性を調べたのでその結果についても報告する. 
(英) We focus on Self Switching nano-Diodes (SSD) as a application for oxide semiconductors. The SSD is a novel functional nano-device which is operating at a high frequency. Fabrication and characterization of SSDs using III-V compound semiconductors have been reported so far. On the other hand, SSDs using oxide semiconductors on flexible substrates are expected to be the device application to a RFID tag in near future. However, there are few reports about the oxide SSDs. In this report, we report on the fabrication and characterization of SSDs using a transparent oxide semiconductor Zinc Oxide (ZnO) on glass substrates. The SSDs were fabricated by using electron beam lithography and wet chemical etching at room temperature. ZnO-SSDs on the polyethylene naphthalate (PEN) were also characterized by the bending experiments for flexible applications.
キーワード (和) 酸化亜鉛 / セルフスイッチング型ナノダイオード / 透明 / ガラス基板 / フレキシブル / / /  
(英) Zinc oxide (ZnO) / Self Switching nano-Diode (SSD) / Transparent / Glass substrate / Flexible / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 445, ED2012-133, pp. 31-34, 2013年2月.
資料番号 ED2012-133 
発行日 2013-02-20 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-133 SDM2012-162 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-133 SDM2012-162

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2013-02-27 - 2013-02-28 
開催地(和) 北海道大学(百年記念会館) 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Rectification in ZnO Self Switching Nano-Diodes toward Flexible Device Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化亜鉛 / Zinc oxide (ZnO)  
キーワード(2)(和/英) セルフスイッチング型ナノダイオード / Self Switching nano-Diode (SSD)  
キーワード(3)(和/英) 透明 / Transparent  
キーワード(4)(和/英) ガラス基板 / Glass substrate  
キーワード(5)(和/英) フレキシブル / Flexible  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 孫 屹 / Yi Sun / ソン イ
第1著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 祐太 / Yuta Kimura / キムラ ユウタ
第2著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 前元 利彦 / Toshihiko Maemoto / マエモト トシヒコ
第3著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々 誠彦 / Shigehiko Sasa / ササ シゲヒコ
第4著者 所属(和/英) 大阪工業大学 (略称: 阪工大)
Osaka Institute of Technology (略称: Osaka Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ
第5著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2013-02-27 16:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2012-133,IEICE-SDM2012-162 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.445(ED), no.446(SDM) 
ページ範囲 pp.31-34 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2013-02-20,IEICE-SDM-2013-02-20 


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