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講演抄録/キーワード
講演名 2013-02-04 14:30
白色LED向け高放熱性ウエハーレベル・チップスケール・パッケージの開発
秋元陽介小島章弘島田美代子富澤英之古山英人小幡 進樋口和人杉崎吉昭柴田英毅東芝SDM2012-154 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-154
抄録 (和) 次世代照明として期待が大きい白色LED向けに、高放熱性を有するウエーハレベル・チップスケール・パッケージ(WL-CSP)技術を開発した。
従来の組み立て(実装)技術の延長ではなく、サファイア基板上へのLEDチップ形成から外部接続可能なCu電極/再配線層と蛍光体層形成までの全工程をウエーハレベルの一括処理によって実現した。
今回試作したWL-CSPは、発光層に直接接続された低熱抵抗のCu再配線層により、優れた放熱特性を示すことを実証した。 
(英) We proposed a novel wafer-level chip scale packaging technology for white LED, which enables high thermal dissipation for future solid state lighting.
We carried out from formation of inter layer dielectric (ILD), wiring layer formed directly on the p/n electrodes by Cu deposition process for solder pad to printing the phosphor layer on a whole wafer.
It was clearly demonstrated that our wafer-level chip scale package has an excellent thermal resistance because of the direct connection of thick Cu wiring to the light emitting layer.
キーワード (和) 白色LED / パッケージ / 放熱特性 / / / / /  
(英) white LED / packag / thermal dissipation / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 427, SDM2012-154, pp. 21-24, 2013年2月.
資料番号 SDM2012-154 
発行日 2013-01-28 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-154 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-154

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2013-02-04 - 2013-02-04 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2013-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 白色LED向け高放熱性ウエハーレベル・チップスケール・パッケージの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Wafer-level Chip Scale Package for White LED with High Thermal Dissipation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 白色LED / white LED  
キーワード(2)(和/英) パッケージ / packag  
キーワード(3)(和/英) 放熱特性 / thermal dissipation  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋元 陽介 / Yosuke Akimoto /
第1著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小島 章弘 / Akihiro Kojima /
第2著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 島田 美代子 / Miyoko Shimada /
第3著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 富澤 英之 / Hideyuki Tomizawa /
第4著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古山 英人 / Hideto Furuyama /
第5著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小幡 進 / Susumu Obata /
第6著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 樋口 和人 / Kazuhito Higuchi /
第7著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉崎 吉昭 / Yoshiaki Sugizaki /
第8著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 英毅 / Hideki Shibata /
第9著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
Toshiba (略称: Toshiba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2013-02-04 14:30:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2012-154 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.427 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数
発行日 2013-01-28 (SDM) 


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