講演抄録/キーワード |
講演名 |
2013-02-04 13:50
LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦 ○神谷庄司・佐藤 尚(名工大)・大宮正毅(慶大)・宍戸信之・小岩康三・西田政弘(名工大)・中村友二・鈴木貴志(富士通研)・野久尾毅・鈴木俊明(日本電子専門学校) SDM2012-153 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-153 |
抄録 |
(和) |
構造物の対破壊信頼性確保は機械工学の基本的使命の一つである。エレクトロニクスデバイスもその例外ではないが、構造の3次元化とナノメートルオーダーへ迫る寸法の小型化のトレンドにあって、LSI開発の現場では幾多の努力にもかかわらず機械的な破壊による不良が後を絶たない。部材の強度情報を組合せて構造の強度を設計するという機械工学の常識が、ここではナノメートルスケールでの破壊強度の把握という新しい試練にさらされている。この現状を打破すべく、配線構造原寸レベルの局所強度に対応する新しい機械強度試験装置の開発と評価方法の確立を目指したプロジェクトが進行中である。ここではこのプロジェクトにより得られた新しい知見、すなわち結晶粒のスケールと同等以下の寸法において金属はもはや均一な材料ではなくそれ自体が構造であるという事実と、これを踏まえた破壊確率の定量化の可能性とを紹介する。 |
(英) |
One of serious problems for LSI is the weakness of interfaces in Cu/dielectric systems along with the trend of further miniaturization. Although adhesion strength of those interfaces is previously evaluated by macroscopic tests such as four point bending, the local interface adhesion strength in recent LSI with very fine structures is influenced by the local microstructure of Cu lines. This is because that crystal orientation, high angle grain boundaries and twins influence on the local deformation. In this study, novel evaluation method for the local adhesion interface-strength of the Cu/dielectric interface on the sub-micron Cu damascene is proposed. |
キーワード |
(和) |
LSI / 銅ダマシン配線 / 銅/絶縁層界面 / 局所付着強度 / 結晶方位 / 粒界 / 塑性変形 / |
(英) |
LSI circuit / Cu damascene / Cu/dielectric interface / Local adhesion strength / crystal orientation / grain boundary / plastic deformation / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 427, SDM2012-153, pp. 15-20, 2013年2月. |
資料番号 |
SDM2012-153 |
発行日 |
2013-01-28 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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