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講演抄録/キーワード
講演名 2013-01-18 14:30
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析
林 一夫大石敏之加茂宣卓山口裕太郎大塚浩志山中宏治中山正敏三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2012-125 MW2012-155 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-125 MW2012-155
抄録 (和) AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチオフ電圧以下のドレイン電流の温度依存性からGaN層中に活性化エネルギー0.15,0.5eVの2種類のトラップがあり,電子は空間電荷制限機構により電導していることがわかった.次にこれらの実測値を参考にTCADシミュレーションを実施した.その結果,トラップが存在することで,ドレインリーク電流が抑制されることがわかった.これは,トラップが負に帯電することで,伝導帯エネルギーが上昇し,電子に対する障壁が増加するためである. 
(英) Traps in GaN layer of AlGaN/GaN HEMTs have been studied by using both experimental data and TCAD simulation. Two traps with activation energies of 0.15 and 0.5 eV are estimated from drain current versus drain voltage curves below pinch-off voltage at various temperatures. Furthermore, the drain leakage current is found to decrease as the trap density increases. From TCAD simulation, the decrease of the drain leakage current results from the increase of conduction band due to the traps with negative charges in GaN layer.
キーワード (和) AlGaN/GaN HEMT / トラップ / TCADシミュレーション / ドレインリーク電流 / / / /  
(英) AlGaN/GaN HEMT / trap / TCAD simulation / drain leakage current / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 380, ED2012-125, pp. 69-74, 2013年1月.
資料番号 ED2012-125 
発行日 2013-01-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-125 MW2012-155 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-125 MW2012-155

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2013-01-17 - 2013-01-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis of drain leakage current in AlGaN/GaN HEMT 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT  
キーワード(2)(和/英) トラップ / trap  
キーワード(3)(和/英) TCADシミュレーション / TCAD simulation  
キーワード(4)(和/英) ドレインリーク電流 / drain leakage current  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 一夫 / Kazuo Hayashi / ハヤシ カズオ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 加茂 宣卓 / Yoshitaka Kamo / カモ ヨシタカ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 浩志 / Hiroshi Otsuka / オオツカ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 正敏 / Masatoshi Nakayama / ナカヤマ マサトシ
第7著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Institute of Technology)
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講演者
発表日時 2013-01-18 14:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2012-125,IEICE-MW2012-155 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.380(ED), no.381(MW) 
ページ範囲 pp.69-74 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2013-01-10,IEICE-MW-2013-01-10 


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