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講演抄録/キーワード
講演名 2013-01-18 14:55
SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
小林健悟吉田智洋尾辻泰一片山竜二松岡隆志末光哲也東北大ED2012-126 MW2012-156 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-126 MW2012-156
抄録 (和) HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動度トランジスタを作製し,その特性を評価した.ゲート長0.3 μmのSiCN MIS-HEMTにおいて相互コンダクタンス69 mS/mmと電流利得遮断周波数(fT) 25 GHzが得られた.これらは比較のため用意したショットキーゲートデバイスと比べ,良好なものとなっている.この原因を明らかにするため,SiCN膜を堆積する際にHMDSのキャリアガスとして用いた水素によるクリーニング効果を検証した.結果として,水素アニールによりドレイン電流密度,fTが改善され,電流コラプスが抑制されることが示された. 
(英) This paper reports AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS)-gate high electron mobility transistors (HEMTs) with a SiCN gate stack deposited by PECVD using HMDS vapor. A transconductance of 69 mS/mm and a current gain cutoff frequency (fT) of 25 GHz are obtained for the SiCN MIS-HEMTs with a gate length of 0.3 μm. These performances are better than those of the Schottky-gate reference devices. To clarify the origin of these improvements, we verified the cleaning effect of hydrogen used as a carrier gas for HMDS during the PECVD of SiCN. The results indicate that the hydrogen annealing improves the drain current density and fT as well as it suppresses the current collapse.
キーワード (和) GaN / AlGaN / SiCN / MISゲート / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 水素アニール / /  
(英) GaN / AlGaN / SiCN / MIS-Gate / high electron mobility transistor (HEMT) / hydrogen annealing / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 380, ED2012-126, pp. 75-78, 2013年1月.
資料番号 ED2012-126 
発行日 2013-01-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2012-126 MW2012-156 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-126 MW2012-156

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2013-01-17 - 2013-01-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2013-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) AlGaN/GaN MIS-Gate HEMTs with SiCN Gate Stacks 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN  
キーワード(3)(和/英) SiCN / SiCN  
キーワード(4)(和/英) MISゲート / MIS-Gate  
キーワード(5)(和/英) 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / high electron mobility transistor (HEMT)  
キーワード(6)(和/英) 水素アニール / hydrogen annealing  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 健悟 / Kengo Kobayashi / コバヤシ ケンゴ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 智洋 / Tomohiro Yoshida / ヨシダ トモヒロ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 片山 竜二 / Ryuji Katayama / カタヤマ リュウジ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 松岡 隆志 / Takashi Matsuoka / マツオカ タカシ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu /
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2013-01-18 14:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2012-126,IEICE-MW2012-156 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.380(ED), no.381(MW) 
ページ範囲 pp.75-78 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2013-01-10,IEICE-MW-2013-01-10 


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