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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2013-01-18 13:25 ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性の解析 ○塙 秀之・小野寺 啓・堀尾和重（芝浦工大）  ED2012-123 MW2012-153 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-123 MW2012-153 |
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| 抄録 | （和） | ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性を２次元数値解析し，その結果をゲートフィールドプレート構造の場合と比較した。ドレインラグの低減の割合は両者で同程度となったが，ゲートラグの低減割合はソースフィールドプレート構造の方が小さくなり，電流コラプスの低減割合もやや小さくなった。これは，ゲートのドレイン端の電界がオフ状態でより高くなりトラッピング効果が大きくなるためである。このため，オフ状態の耐圧もソースフィールドプレート構造の方がやや低くなった。バッファ層に起因した電流コラプスを最小限にするためには，SiN絶縁膜の厚さにある最適値が存在することが示唆された。 |
| （英） | Two-dimensional analysis of lag phenomena, current collapse and breakdown voltages in source-field-plate AlGaN/GaN HEMTs is performed, and the results are compared with those for the case of gate-field-plate structure. It is shown that the reduction rate of drain-lag is similar between the two structures, but the reduction rates of gate lag and current collapse are smaller for the source-field-plate structure. This is because the electric field at the drain edge of the gate becomes higher in the off state and the trapping effects become more significant. For this reason, the off-state breakdown voltage is a little lower in the source-field-plate structure. It is suggested that there is an optimum thickness of SiN passivation layer to minimize the buffer-related current collapse in both structures. | |
| キーワード | （和） | GaN / HEMT / フィールドプレート / ラグ現象 / 電流コラプス / 耐圧特性 / ２次元解析 / |
| （英） | GaN / HEMT / field plate / lag phenomena / current collapse / breakdown voltage / two-dimensional analysis / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 380, ED2012-123, pp. 57-62, 2013年1月. | |
| 資料番号 | ED2012-123 | |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-123 MW2012-153 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-123 MW2012-153 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2013-01-17 - 2013-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices, Microwave Technologies, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2013-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTのラグ現象，電流コラプス及び耐圧特性の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Lag Phenomena, Current Collapse and Breakdown Characteristics in Source-Field-Plate AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(4)（和/英） | ラグ現象 / lag phenomena |
| キーワード(5)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(6)（和/英） | 耐圧特性 / breakdown voltage |
| キーワード(7)（和/英） | ２次元解析 / two-dimensional analysis |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塙 秀之 / Hideyuki Hanawa / ハナワ ヒデユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野寺 啓 / Hiraku Onodera / オノデラ ヒラク |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀尾 和重 / Kazushige Horio / ホリオ カズシゲ |
| 第3著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： Shibaura Inst. Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2013-01-18 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-123, MW2012-153 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.380(ED), no.381(MW) |
| ページ範囲 | pp.57-62 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2013-01-10 (ED, MW) |
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