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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-21 15:20
MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用
三浦 真藤方潤一野口将高岡本大典光電子融合基盤技研)・堀川 剛産総研)・荒川泰彦東大OPE2012-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2012-139
抄録 (和) シリコン(Si)基板上への光電子集積技術の確立に向け,ゲルマニウム(Ge)受光器の開発とGe受光器を用いた光受信回路の検討を行った.受光器構造は,簡易な金属配線構造を持ち,高密度の光集積回路に適したMSM(Metal-Semiconductor-Metal)構造とした.上記構造で課題となる暗電流に対し,Ge受光層上にSiGe保護膜を選択エピタキシャル成長することで,暗電流の抑制を行った.更に,SiGe保護膜を適用したMSM型Ge受光器は,Si保護膜を適用した場合に比べて暗電流の素子間ばらつきが非常に小さいことを見出した.最適化した低暗電流かつ高均一なMSM型Ge受光器を光回路に応用し,低ノイズ特性に優れ,10 Gbpsでの高速動作が可能な差動対受信回路を実現した. 
(英) In order to explore the photonics-electronics convergence technology integrated on silicon (Si) substrate, germanium (Ge) photodetectors (PDs) were developed, and the optical receiver circuit was realized using the well-developed Ge PDs. We used MSM (Metal-Semiconductor-Metal) type Ge PDs because of its simple metal layout and its ability to provide flexibility in designing optoelectronic circuits. The dark current, which is quite large in the MSM Ge PDs, was sufficiently suppressed when the SiGe capping layer was selectively grown on Ge layer. Moreover, MSM Ge PDs with the SiGe capping layer was found to have very narrow dark current distribution compared to the PDs with Si capping layer. Utilizing these high-uniform and low-dark-current MSM Ge PDs, very low noise differential receiver circuit was realized performing at 10 Gbps.
キーワード (和) ゲルマニウム(Ge) / MSM型Ge受光器 / エピタキシャル成長 / SiGe保護膜 / 差動対光受信回路 / / /  
(英) Germanium (Ge) / MSM type Ge photodetector (PD) / epitaxial growth / SiGe capping layer / differential receiver circuit / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 371, OPE2012-139, pp. 27-31, 2012年12月.
資料番号 OPE2012-139 
発行日 2012-12-14 (OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2012-139 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2012-139

研究会情報
研究会 OPE  
開催期間 2012-12-21 - 2012-12-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS)、シリコンフォトニクス、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2012-12-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MSM型ゲルマニウム受光器の差動対光受信回路への応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Differential Optical Receivers with MSM Ge Photodetectors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ゲルマニウム(Ge) / Germanium (Ge)  
キーワード(2)(和/英) MSM型Ge受光器 / MSM type Ge photodetector (PD)  
キーワード(3)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth  
キーワード(4)(和/英) SiGe保護膜 / SiGe capping layer  
キーワード(5)(和/英) 差動対光受信回路 / differential receiver circuit  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 真 / Makoto Miura / ミウラ マコト
第1著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤方 潤一 / Junichi Fujikata / フジカタ ジュンイチ
第2著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 将高 / Masataka Noguchi / ノグチ マサタカ
第3著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 大典 / Daisuke Okamoto / オカモト ダイスケ
第4著者 所属(和/英) 光電子融合基盤技術研究所 (略称: 光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association (略称: PETRA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀川 剛 / Tsuyoshi Horikawa / ホリカワ ツヨシ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ
第6著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2012-12-21 15:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-OPE2012-139 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.371 
ページ範囲 pp.27-31 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-OPE-2012-12-14 


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