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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-21 16:45
オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性
李 智恩山原佳晃渥美裕樹西山伸彦荒井滋久東工大OPE2012-141 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2012-141
抄録 (和) Si-LSI上InP系薄膜光集積回路の実現のために、その基本要素である細線導波路とそれを利用した受動素子の設計と作製法の検討を行った。BCB(Benzocyclobutene) を介してSi基板上に形成したGaInAsP薄膜に、電子線描画法とドライエッチングで作製したGaInAsP細線導波路の側壁粗さと伝搬損失の関係を明らかにし、低損失化技術の検証を行った。その結果、Si基板上化合物細線導波路において最小値となる4 dB/cmの伝搬損失を達成した。次に、この作製法を用いて、光信号を2分岐する多モード干渉導波路の構造設計・作製を行い、c-band内で平均挿入損失3dB を得た。また、レーザと細線導波路間のモード分布の不一致による結合損失を計算し、各素子間にテーパ型モード変換器を挿入することにより結合効率を99%に向上する集積素子の構造設計を行った。 
(英) For InP-based membrane photonic circuits on Si-LSI, a GaInAsP wire waveguide and basic functional passive devices based on the GaInAsP wire structure were designed, fabricated, and characterized. The relationship between the sidewall roughness and the propagation loss was clarified and the technic for loss reduction was verified by improved fabrication process of GaInAsP waveguide with an electron-beam lithography and inductively-coupled-plasma reactive ion etching on Si substrate by BCB bonding. As a result, the propagation loss was obtained as low as 4 dB/cm which is the best record as an InP-based wire waveguide on Si substrate. Also a multi-mode interferometer (MMI) as a 3dB optical beam splitter was designed and fabricated with wire waveguide. In addition, for membrane PICs the coupling losses were calculated between membrane laser and GaInAsP wire waveguide caused by deference of optical mode fields, and the taper-type optical mode converter was designed to improve the coupling efficiency to 99% between those devices.
キーワード (和) 薄膜光集積回路 / BCB貼り付け法 / GaInAsP細線導波路 / MMI カプラ / モード変換器 / / /  
(英) Membrane photonic circuits / BCB adhesive wafer bonding / GaInAsP wire waveguide / MMI splitter / Optical mode converter / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 371, OPE2012-141, pp. 39-44, 2012年12月.
資料番号 OPE2012-141 
発行日 2012-12-14 (OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2012-141 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2012-141

研究会情報
研究会 OPE  
開催期間 2012-12-21 - 2012-12-21 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS)、シリコンフォトニクス、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2012-12-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characteristics of InP-based passive devices of Si substrate with BCB adhesive wafer bonding for on-chip interconnects 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 薄膜光集積回路 / Membrane photonic circuits  
キーワード(2)(和/英) BCB貼り付け法 / BCB adhesive wafer bonding  
キーワード(3)(和/英) GaInAsP細線導波路 / GaInAsP wire waveguide  
キーワード(4)(和/英) MMI カプラ / MMI splitter  
キーワード(5)(和/英) モード変換器 / Optical mode converter  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 智恩 / Jieun Lee / イ ジウン
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TiTech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山原 佳晃 / Yoshiaki Yamahara / ヤマハラ ヨシアキ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TiTech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 渥美 裕樹 / Yuki Atsumi / アツミ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TiTech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: TiTech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学/量子ナノエレクトロニクス研究センター (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology/Quantum Nanoelectronics Research Center (略称: TiTech/QNERC)
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講演者
発表日時 2012-12-21 16:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-OPE2012-141 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.371 
ページ範囲 pp.39-44 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-OPE-2012-12-14 


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