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| 講演名 | 2012-12-18 15:10 横型pinフォトダイオードの光応答電流モデルの開発 ○井村洋介・井瀬 潔（鈴鹿高専）  ICD2012-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-121 |
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| 抄録 | （和） | 横型pinフォトダイオードの光応答電流特性を表現するデバイスモデルを開発した．本モデルは，i層の長さLの依存性およびp+層とn+層間にかける逆バイアスVの依存性を表現できる．光入射によりi層に生成したキャリアは，i層にできる空乏層lpの中はドリフトで移動，i層の空乏層以外すなわちL-lpの中は拡散で移動すると考えた．拡散領域ではキャリアの拡散方程式を固有関数展開法で解き，ドリフト領域では空乏層内の電界を一定と仮定した．モデル式による応答電流は，Lが長くなると光応答電流波形は光の入射波形と異なってくることを表現できている |
| （英） | We have developed the device model which can characterize the optical response current of lateral p-i-n photodiode. This model can express the dependence of the length L of the intrinsic region and the dependence of the applied DC reverse bias V between p+ and n+ regions. This model divides the intrinsic region into two regions, i.e., the drift and diffusion ones, and this model assumes that the carriers, namely the electron and hole generated due to a light pulse, flow by drift in the depletion region lp and they flow by diffusion in the intrinsic region except lp (i.e. L-lp). The diffusion equation of carrier is solved by the Eigenfunction Expansion Method in diffusion region, and the assumption that the electric field is constant is used in the depletion region. The photo current calculated by this model shows that the shape of current differs more and more from the shape of light pulse as the length L becomes longer and longer. |
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| キーワード | （和） | 横型pinフォトダイオード / 光応答電流特性 / デバイスモデル / / / / / |
| （英） | lateral p-i-n photodiode / optical response current / device model / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-121, pp. 133-138, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ICD2012-121 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール |
| 開催地（英） | Tokyo Tech Front |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 横型pinフォトダイオードの光応答電流モデルの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of optical response current model of lateral pin photodiode |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 横型pinフォトダイオード / lateral p-i-n photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 光応答電流特性 / optical response current |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスモデル / device model |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井村 洋介 / Yosuke Imura / イムラ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 鈴鹿工業高等専門学校 (略称： 鈴鹿高専) Suzuka National College of Technology (略称： SNCT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井瀬 潔 / Kiyoshi Ise / イセ キヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 鈴鹿工業高等専門学校 (略称： 鈴鹿高専) Suzuka National College of Technology (略称： SNCT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-18 15:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-121 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | pp.133-138 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) |
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