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| 講演名 | 2012-12-18 12:05 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール ○伊藤 弘（北里大）・村本好史（NTT）・山本 洋（北里大）・石橋忠夫（NEL）  ED2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-107 |
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| 抄録 | （和） | サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作する、InP系ショットキーバリアダイオード（SBD）モジュールを開発した。SBDに共振型整合回路を集積化することで検出感度の向上を図ると共に、素子の活性層にInGaAsP層を用いることでゼロバイアス動作に適した低いショットキー障壁高さ（0.37eV）を実現した。作製したSBDを、Jバンド（WR-3）矩形導波管入力型の筐体に実装して高周波特性を評価した結果、検出感度は350GHz付近にピークを持ち、整合回路の周波数特性（設計値）と良い一致を示した。また、入出力の線形性は良好であり、350GHzにおける検出感度として1460V/Wが得られた。これは、サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作するInP系SBDモジュールとして、これまでの最高値である。 |
| （英） | An InP/InGaAsP Schottky barrier diode (SBD) for zero-biased operation in the sub-millimeter-wave range has been developed. The SBD is monolithically integrated with a short-stub resonant matching circuit to increase the detection sensitivity around the designated frequency. The fabricated device exhibits a small Schottky barrier height of about 0.37 eV, which is suitable for zero-biased operation. The SBD chip is mounted in a compact J-band (WR-3) rectangular-waveguide-input module to evaluate the high-frequency characteristics. The module exhibits a peak sensitivity at around 350 GHz due to the characteristics of the matching circuit, and good linearity of the output voltage against the input sub-mm-wave power. A record sensitivity of 1460 V/W at 350 GHz is obtained for the InP-based zero-biased SBD. | |
| キーワード | （和） | ショットキーバリアダイオード / InP/InGaAsP / サブミリ波 / ゼロバイアス動作 / モジュール / / / |
| （英） | Schottky barrier diode / InP/InGaAsP / sub-millimeter-wave / zero-biased operation / module / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 364, ED2012-107, pp. 77-82, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ED2012-107 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave / Terahertz devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Sub-Millimeter-Wave InP-Based Schottky-Barrier Diode Module for Zero-Biased Operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキーバリアダイオード / Schottky barrier diode |
| キーワード(2)（和/英） | InP/InGaAsP / InP/InGaAsP |
| キーワード(3)（和/英） | サブミリ波 / sub-millimeter-wave |
| キーワード(4)（和/英） | ゼロバイアス動作 / zero-biased operation |
| キーワード(5)（和/英） | モジュール / module |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 弘 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北里大学 (略称： 北里大) Kitasato University (略称： Kitasato Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村本 好史 / Yoshifumi Muramoto / ムラモト ヨシフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 洋 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北里大学 (略称： 北里大) Kitasato University (略称： Kitasato Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 忠夫 / Tadao Ishibashi / イシバシ タダオ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクス (略称： NEL) NTT Electronics Corporation (略称： NEL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-18 12:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-107 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.364 |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ED) |
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