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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-17 13:50 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器 ○芝 祥一・佐藤 優・鈴木俊秀・中舍安宏・高橋 剛・牧山剛三・原 直紀（富士通）  ED2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-95 |
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| 抄録 | （和） | 短距離大容量通信システムへの適用に向け，75 nm InP HEMTを用いてF帯（90-140 GHz）で動作する電流再利用型の双方向増幅器を開発した．ゲート接地トランジスタと，インダクタとスイッチから成る小型可変整合回路により，順方向利得12-15 dB，逆方向9-12 dBで50 GHz以上の広帯域で双方向動作することを確認した．比帯域では，順方向39%，逆方向32%と，従来と比べほぼ2倍である．出力特性は，双方向とも飽和で3 dBm以上が得られた．雑音特性としてはNF 5 dB以下の計算値が得られている．電源電圧2.4 Vで消費電力はわずか15 mWであった．今回開発した双方向増幅器により，マルチギガビット通信システム用端末の小型化が期待できる． |
| （英） | We have developed an F-band (90 to 140 GHz) bidirectional amplifier MMIC using a 75-nm InP HEMT technology for short-range millimeter-wave high-speed communication systems. Inherent symmetric common-gate transistors and parallel circuits consisting of an inductor and a switch realizes a bidirectional operation with a wide bandwidth of over 50 GHz. Small signal gains of 12-15 dB and 9-12 dB were achieved in forward and reverse directions, respectively. Fractional bandwidths of the developed bidirectional amplifier were 39% for the forward direction and 32% for the reverse direction, which were almost double as large as those of conventional bidirectional amplifiers. The power consumption of the bidirectional amplifier was 15 mW under a 2.4-V supply. The chip measures 0.70 × 0.65 mm. The simulated NF is lower than 5 dB, and the saturation power is larger than 5 dBm. The use of this bidirectional amplifier provides miniaturization of the multi-gigabit communication systems and eliminates signal switching loss. | |
| キーワード | （和） | 双方向増幅器 / InP HEMT / ミリ波 / MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) / / / / |
| （英） | Bidirectional amplifier / InP HEMTs / Monolithic microwave integrated circuits (MMICs) / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 364, ED2012-95, pp. 11-15, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ED2012-95 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-95 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter wave / Terahertz devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | F-Band Bidirectional Amplifier Using 75-nm InP HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 双方向増幅器 / Bidirectional amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | InP HEMT / InP HEMTs |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Monolithic microwave integrated circuits (MMICs) |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 俊秀 / Toshihide Suzuki / スズキ トシヒデ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Limited (略称： Fujitsu) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-17 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-95 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.364 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ED) |
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