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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-17 15:55 ［ポスター講演］3x Write and 5x Read Speed Increase for RRAM with Disturb Free Bipolar Operation ○Sheyang Ning（Chuo Univ./Univ. of Tokyo）・Tomoko Ogura Iwasaki・Ken Takeuchi（Chuo Univ.）  ICD2012-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-99 |
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| 抄録 | （和） | The RRAM high speed operation is handicapped by the need to verify during set/reset, and the limited read voltage for read disturb prevention. In this presentation, two circuit level optimizations, Bipolar verification and Reverse Read with Dynamic Write-Back are proposed to provide speed and reliability improvement. Bipolar verification reduces the Source Line (SL) charge/discharge time between program and verify modes. And Dynamic Write-Back allows higher read current, thereby reducing the read time with no read disturb degradation. Measurement of 50 nm $\mathrm{{HfO}_2}$ RRAM read disturb in forward and reverse directions supports the potential for 3${\times}$ write speed, 5${\times}$ read speed increase as well as read disturb immunity with the occasional write back operation. |
| （英） | The RRAM high speed operation is handicapped by the need to verify during set/reset, and the limited read voltage for read disturb prevention. In this presentation, two circuit level optimizations, Bipolar verification and Reverse Read with Dynamic Write-Back are proposed to provide speed and reliability improvement. Bipolar verification reduces the Source Line (SL) charge/discharge time between program and verify modes. And Dynamic Write-Back allows higher read current, thereby reducing the read time with no read disturb degradation. Measurement of 50 nm $\mathrm{{HfO}_2}$ RRAM read disturb in forward and reverse directions supports the potential for 3${\times}$ write speed, 5${\times}$ read speed increase as well as read disturb immunity with the occasional write back operation. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | RRAM / Fast Verify Time / Fast Read / Dynamic Write-Back / Read Disturb Immunity / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-99, pp. 43-43, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ICD2012-99 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール |
| 開催地（英） | Tokyo Tech Front |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-12-ICD |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3x Write and 5x Read Speed Increase for RRAM with Disturb Free Bipolar Operation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / RRAM |
| キーワード(2)（和/英） | / Fast Verify Time |
| キーワード(3)（和/英） | / Fast Read |
| キーワード(4)（和/英） | / Dynamic Write-Back |
| キーワード(5)（和/英） | / Read Disturb Immunity |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寧 渉洋 / Sheyang Ning / ネイ ショウヨウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学/東京大学 (略称： 中大/東大) Chuo University/University of Tokyo (略称： Chuo Univ./Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | トモコ オグラ イワサキ / Tomoko Ogura Iwasaki / トモコ オグラ イワサキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-17 15:55:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-99 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | p.43 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) |
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