お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-17 11:50
擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子の特性評価
梅津哲也原田知親奥山澄雄松下浩一山形大ICD2012-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-89
抄録 (和) 現在の集積回路では,Siチップを保護するためにパッケージングが施されるが,それによってチップ内に応力が発生する場合がある.それによって生じる故障や回路特性の変化が問題となるため,パッケージ内部のチップに印加される応力の評価が必要となる.しかし,現存する応力検出素子では,回路とは別の領域に集積化する必要があり,集積化面積が増える。そこで,擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子を用いることで,回路と一体化して集積回路への組み込みが可能となるため,集積化面積を増やさずに計測できる.本研究では,擬似ホール効果を応力検出原理としたMOSFET型応力検出素子の応力検出動作の検討と,素子の測定評価をおこなった. 
(英) Recently, most of the LSI chip applies packaging process for protecting Si chip, but internal stress in Si chip may be generated. It is necessary to measure and evaluate internal stress, because the characteristics of circuit may be damaged or changed. However, integration area increases with the existing strain sensor because it can't integrate with other circuits. So, by using the MOSFET type stress detection element that utilizes the pseudo-Hall effect, it can be integrated without increasing integration area. In this paper, we design, analyze and evaluate a strain sensor based on MOSFET using pseudo-Hall effect.
キーワード (和) 擬似ホール効果 / MOSFET / 歪みセンサ / / / / /  
(英) Pseudo-Hall Effect / MOSFET / Strain Sensor / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-89, pp. 11-16, 2012年12月.
資料番号 ICD2012-89 
発行日 2012-12-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2012-89 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-89

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2012-12-17 - 2012-12-18 
開催地(和) 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール 
開催地(英) Tokyo Tech Front 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-12-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子の特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) An Analysis and Evaluation of MOSFET Strain Sensor Using Pseudo-Hall Effect 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 擬似ホール効果 / Pseudo-Hall Effect  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 歪みセンサ / Strain Sensor  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅津 哲也 / Tetsuya Umetsu / ウメツ テツヤ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 知親 / Tomochika Harada / ハラダ トモチカ
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥山 澄雄 / Sumio Okuyama / オクヤマ スミオ
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松下 浩一 / Koichi Matsushita /
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2012-12-17 11:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2012-89 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.365 
ページ範囲 pp.11-16 
ページ数
発行日 2012-12-10 (ICD) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会