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| 講演名 | 2012-12-17 13:30 ［招待講演］混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合）  ICD2012-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-90 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では，超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して，開発の背景と狙い，高性能と高信頼化に向けた取り組み，多層配線へのインテグレーションを報告する．高性能化に向けては，トップピンMTJ構造とプロセス歪導入を紹介する．高信頼化向けては，トンネル絶縁膜の成膜方法を紹介する．良質なトンネル絶縁膜の開発を通して，SRAM置き換えとして必須の無限回書き換え耐性を実証した結果についても述べる．高集積化については，CMOSが形成されている300mm基板の多層Cu配線間に，STT-MRAMを埋め込むインテグレーションの状況について述べる． |
| （英） | High-performance spin transfer torque MRAM (STT-MRAM) for embedded cache memories was developed, utilizing a top-pinned magnetic tunnel junction (MTJ) combined with a highly reliable MgO tunneling insulator. Also, a basic integration process flow was designed and verified using 300-mm wafers. | |
| キーワード | （和） | スピン注入 / 混載 / 低消費電力 / / / / / |
| （英） | Spin / STT-MRAM / MTJ / Embedded / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-90, pp. 17-20, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ICD2012-90 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-90 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール |
| 開催地（英） | Tokyo Tech Front |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-performance STT-MRAM and Its Integration for Embedded Application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピン注入 / Spin |
| キーワード(2)（和/英） | 混載 / STT-MRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 低消費電力 / MTJ |
| キーワード(4)（和/英） | / Embedded |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii / スギイ トシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 射場 義久 / Yoshihisa Iba / イバ ヨシヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 正樹 / Masaki Aoki / アオキ マサキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 能代 英之 / Hideyuki Noshiro / ノシロ ヒデユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 浩司 / Koji Tsunoda / ツノダ コウジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑田 明良 / Akiyoshi Hatada / ハタダ アキヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中林 正明 / Masaaki Nakabayashi / ナカバヤシ マサアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 裕一 / Yuuichi Yamazaki / ヤマザキ ユウイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 厚 / Atsushi Takahashi / タカハシ アツシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 親子 / Chikako Yoshida / ヨシダ チカコ |
| 第10著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称： 超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association & Project (略称： LESP) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-17 13:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-90 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) |
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