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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-17 13:30
[招待講演]混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合ICD2012-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-90
抄録 (和) 本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景と狙い,高性能と高信頼化に向けた取り組み,多層配線へのインテグレーションを報告する.高性能化に向けては,トップピンMTJ構造とプロセス歪導入を紹介する.高信頼化向けては,トンネル絶縁膜の成膜方法を紹介する.良質なトンネル絶縁膜の開発を通して,SRAM置き換えとして必須の無限回書き換え耐性を実証した結果についても述べる.高集積化については,CMOSが形成されている300mm基板の多層Cu配線間に,STT-MRAMを埋め込むインテグレーションの状況について述べる. 
(英) High-performance spin transfer torque MRAM (STT-MRAM) for embedded cache memories was developed, utilizing a top-pinned magnetic tunnel junction (MTJ) combined with a highly reliable MgO tunneling insulator. Also, a basic integration process flow was designed and verified using 300-mm wafers.
キーワード (和) スピン注入 / 混載 / 低消費電力 / / / / /  
(英) Spin / STT-MRAM / MTJ / Embedded / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-90, pp. 17-20, 2012年12月.
資料番号 ICD2012-90 
発行日 2012-12-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2012-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-90

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2012-12-17 - 2012-12-18 
開催地(和) 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール 
開催地(英) Tokyo Tech Front 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2012-12-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-performance STT-MRAM and Its Integration for Embedded Application 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) スピン注入 / Spin  
キーワード(2)(和/英) 混載 / STT-MRAM  
キーワード(3)(和/英) 低消費電力 / MTJ  
キーワード(4)(和/英) / Embedded  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉井 寿博 / Toshihiro Sugii / スギイ トシヒロ
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 射場 義久 / Yoshihisa Iba / イバ ヨシヒサ
第2著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 正樹 / Masaki Aoki / アオキ マサキ
第3著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 能代 英之 / Hideyuki Noshiro / ノシロ ヒデユキ
第4著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 角田 浩司 / Koji Tsunoda / ツノダ コウジ
第5著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑田 明良 / Akiyoshi Hatada / ハタダ アキヨシ
第6著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中林 正明 / Masaaki Nakabayashi / ナカバヤシ マサアキ
第7著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 裕一 / Yuuichi Yamazaki / ヤマザキ ユウイチ
第8著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 厚 / Atsushi Takahashi / タカハシ アツシ
第9著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 親子 / Chikako Yoshida / ヨシダ チカコ
第10著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LESP)
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講演者
発表日時 2012-12-17 13:30:00 
発表時間 50 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2012-90 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.365 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ICD-2012-12-10 


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