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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-17 15:55 ［ポスター講演］高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20~40nm世代の比較および符号長依存性の解析 ○土井雅史（中大）・田中丸周平（中大/東大）・竹内 健（中大）  ICD2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-95 |
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| 抄録 | （和） | 高信頼性SSDを実現する非対称符号が提案された．非対称符号はNANDフラッシュメモリに書き込むデータの“1”または“0”の割合を増加させることで，しきい値電圧の変化によるビットエラーを減らしNANDフラッシュメモリの信頼性を改善する．また非対称符号は符号長を変えると書き込むデータの“1”または“0”の割合を変化させることができる．本論文では，非対称符号化したデータを書き込んだときの保持・書き込みエラーのビットエラー率を20~40nm世代のNANDフラッシュメモリで比較し，非対称符号の効果を検証した．さらに，非対称符号の符号長を変えたときの保持・書き込みエラーによるビットエラーを解析した． |
| （英） | Asymmetric code was proposed for highly reliable SSDs. The asymmetric code increases the population of “1”s or “0”s in programming data to reduce bit errors, and thus reliability of NAND flash memories improves. In addition, the proportion of “1”s or “0”s depends on the code length of the asymmetric code. This paper compares bit error rates due to the data retention error and the program disturb with 20-40nm NAND flash memories. As a result, the effectiveness of the asymmetric code is verified. Furthermore, bit errors of the data retention error and the program disturb is analyzed with various code length of the asymmetric code. | |
| キーワード | （和） | ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリ / 非対称符号 / 信頼性 / / / / |
| （英） | solid-state-drive / NAND flash memory / asymmetric code / reliability / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-95, pp. 33-33, 2012年12月. | |
| 資料番号 | ICD2012-95 | |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2012-95 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2012-12-17 - 2012-12-18 |
| 開催地（和） | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール |
| 開催地（英） | Tokyo Tech Front |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-12-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20~40nm世代の比較および符号長依存性の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analyses of Code Length Dependence of Asymmetric Code for Highly Reliable SSDs with 20-40nm NAND Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive |
| キーワード(2)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 非対称符号 / asymmetric code |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土井 雅史 / Masafumi Doi / ドイ マサフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中丸 周平 / Shuhei Tanakamaru / タナカマル シュウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学/東京大学 (略称： 中大/東大) Chuo University/University of Tokyo (略称： Chuo Univ./Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-17 15:55:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2012-95 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | p.33 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2012-12-10 (ICD) |
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