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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-13 16:05
1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源
岩井則広若葉昌布小早川将子清田和明黒部立郎小林 剛木本竜也向原智一横内則之粕川秋彦古河電工LQE2012-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2012-133
抄録 (和) 光集積素子( PIC : Photonic Integrated Circuit )は,次世代の光通信システムにおいて,小型かつ低消費電力を実現するためのキーテクノロジーである.単体素子においては,これまでに低消費電力かつ高速変調光源として,AlGaInAs/InP系の埋込ヘテロ構造(BH)レーザが報告されている.しかし,PICに関してはGaInAsP/InP系の報告は多くあるものの,AlGaInAs/InP系BHレーザを用いた報告例はない.我々は高機能PICの実現に向け,1550nm帯 AlGaInAs BH レーザの開発を行い,AlGaInAs/InP系で初めて12ch DFBレーザアレイとSOAを集積した1550nm帯波長可変レーザを作製したので報告する. 
(英) A monolithic photonic integrated circuit (PIC) is a key technology for next-generation optical communication system, realizing compact package and low power consumption. In active devices, AlGaInAs/InP based buried-heterostructure (BH) laser has been demonstrated as a promising candidate for low power consumption and high speed light sources. There are many reports on PIC based on GaInAsP/InP system, however, the fabrication of PIC based on AlGaInAs/InP BH laser has not been reported to our best knowledge, and considered to be challenging to control re-growth interface with high reliability.
In this paper, we investigated 1550nm AlGaInAs MQW BH laser for realization of high performance PIC, which consists of 12-channel array DFB lasers, integrated SOA for widely tunable laser in the AlGaInAs/InP system.
キーワード (和) AlGaInAs / 量子井戸 / 埋込型レーザ / 広帯域波長可変レーザ / 光集積素子 / / /  
(英) AlGaInAs / Quantum well / BH laser / Widely tunable laser / Photonic integrated circuit / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 356, LQE2012-133, pp. 55-58, 2012年12月.
資料番号 LQE2012-133 
発行日 2012-12-06 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2012-133 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2012-133

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2012-12-13 - 2012-12-13 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2012-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 1550nm AlGaInAs/InP Widely Tunable BH Laser based on Arrayed DFB 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaInAs / AlGaInAs  
キーワード(2)(和/英) 量子井戸 / Quantum well  
キーワード(3)(和/英) 埋込型レーザ / BH laser  
キーワード(4)(和/英) 広帯域波長可変レーザ / Widely tunable laser  
キーワード(5)(和/英) 光集積素子 / Photonic integrated circuit  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 則広 / Norihiro Iwai / イワイ ノリヒロ
第1著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 若葉 昌布 / Masaki Wakaba / ワカバ マサキ
第2著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小早川 将子 / Masako Kobayakawa / コバヤカワ マサコ
第3著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 清田 和明 / Kazuaki Kiyota / キヨタ カズアキ
第4著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒部 立郎 / Tatsuro Kurobe / クロベ タツロウ
第5著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 剛 / Go Kobayashi / コバヤシ ゴウ
第6著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 竜也 / Tatsuya Kimoto / キモト タツヤ
第7著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 向原 智一 / Toshikazu Mukaihara / ムカイハラ トシカズ
第8著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 横内 則之 / Noriyuki Yokouchi / ヨコウチ ノリユキ
第9著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 粕川 秋彦 / Akihiko Kasukawa / カスカワ アキヒコ
第10著者 所属(和/英) 古河電気工業株式会社 (略称: 古河電工)
Furukawa Electric Co., Ltd. (略称: Furukawa Electric)
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講演者
発表日時 2012-12-13 16:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-LQE2012-133 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.356 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-LQE-2012-12-06 


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