講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-12-13 11:50
選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザー ○檜垣将広・沼居貴陽(立命館大) LQE2012-126 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2012-126 |
抄録 |
(和) |
本研究の目的は,エルビウムドープ光ファイバー増幅器の励起用光源である発振波長980 nmのリッジ型半導体レーザーにおいて,発振しきい電流の低減とキンクフリー動作を実現することである.リッジ片側に反導波クラッド層を設けた非対称構造を提案し,シミュレーションをおこなった.そして,通常のリッジ型構造やリッジ両側に反導波クラッド層を設けた対称構造と性能を比較した.この結果,非対称構造は,キンクフリー動作を維持した状態で,対称構造よりも発振しきい電流を約5.0 % 低減できる見通しを得た. |
(英) |
In order to decrease the threshold current and obtain kinkfree operations in 980 nm semiconductor lasers, which are pumping sources of erbium-doped optical-fiber amplifiers, an asymmetric ridge-type semiconductor laser with a selectively formed single-sided antiguiding cladding layer is proposed and simulated. Laser characteristics of the proposed asymmetric ridge structure are compared with those of a conventional ridge structure and a symmetric ridge structure with a selectively formed double-sided antiguiding cladding layers. It is found that the threshold current of the proposed asymmetric ridge structure is lower than that of the symmetric ridge structure while keeping kink-free operation. |
キーワード |
(和) |
半導体レーザー / キンク / リッジ型構造 / 反導波 / / / / |
(英) |
Semiconductor Lasers / Kink / Ridge Structure / Antiguiding / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 356, LQE2012-126, pp. 23-26, 2012年12月. |
資料番号 |
LQE2012-126 |
発行日 |
2012-12-06 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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