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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 16:30
微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性
高 相圭木下健太郎福原貴博澤居優圭岸田 悟鳥取大SDM2012-136 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-136
抄録 (和) 抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にReRAMの適用が期待される20 nm以下の微細メモリの作製が現状では技術的に困難である. 本研究ではAtomic Force Microscope(AFM)のカンチレバー先端にReRAM構造を作り込み, チップ先端の電界集中を利用することで, 実効面積の小さなメモリセルをリソグラフィ及びエッチングを用いることなく作製する手法を確立した. また, 配線容量及び抵抗を制御したPtライン電極を用いることでリセット電流の制御が可能となり, 微細セルの測定手法が確立された. 本素子の実効面積はカンチレバー先端の電界集中によって20 nm以下になることが電磁場シミュレーションによって示された. 下部電極の取り外しが可能である構造的なメリットを活かし, セットの際に電極に酸素或いは酸素イオンを蓄えることを要求するタイプのモデルを否定する実験結果を得た. 
(英) Clarification of memory characteristics of tiny cell is important for practical use of resistive random access memory (ReRAM). However, limitation of semiconductor micro-fabrication technology hinders to obtain memory characteristics caused by one and only filament confined in tiny cell with area of smaller than 20 x 20 nm2. In this paper, we established a method to prepare a very small memory cell by fabricating ReRAM structure on the tip of a cantilever of atomic force microscope (AFM). We also established a method to operate the small cell at a reset current low enough to avoid serious damage to the cantilever due to Joule heat generated by high current density at the tip of the cantilever. The effective cell size was estimated to be less than φ20 nm due to concentration of electric field at the tip of a cantilever by using an electromagnetic field simulator basing on finite element method. The experimental result that is not consistent with resistive switching models basing on adsorption or absorption of oxygen ions into an anode for set switching to occur was suggested, by making the most of the unique structure having a removable bottom electrode.
キーワード (和) 抵抗変化メモリ / 微細セル / NiO / AFM / / / /  
(英) ReRAM / Tiny cell / NiO / AFM / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-136, pp. 123-127, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-136 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-136 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-136

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Memory characteristics of ReRAM filament confined in localized area. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化メモリ / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) 微細セル / Tiny cell  
キーワード(3)(和/英) NiO / NiO  
キーワード(4)(和/英) AFM / AFM  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高 相圭 / Sang-gyu Koh / コ サンギュ
第1著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 健太郎 / Kentaro Kinoshita / キノシタ ケンタロウ
第2著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 福原 貴博 / Takahiro Fukuhara / フクハラ タカヒロ
第3著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤居 優圭 / Yusuke Sawai / サワイ ユウスケ
第4著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸田 悟 / Satoru Kishida / キシダ サトル
第5著者 所属(和/英) 鳥取大学 (略称: 鳥取大)
Tottori University (略称: Tottori Univ.)
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講演者
発表日時 2012-12-07 16:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-136 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.123-127 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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