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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 15:15
連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化
湯本伸伍西村英紀平田憲司杉村恵美冬木 隆奈良先端大SDM2012-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-131
抄録 (和) レーザードーピング(LD)は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太陽電池を室温大気中で作製可能であり、所望の領域に選択的にエミッタ層を形成することが可能であることから、セレクティブエミッタ構造などの高効率構造を簡便に作製することができる。LDにより形成されたセレクティブエミッタ構造において、電極の幅や電極の位置合わせ、エミッタ層の深さや濃度などのパラメーターが重要であり、それらの最適化が必要になる。これまでレーザー出力条件によるエミッタ層の最適化は行われてきたが1)、電極幅に対する電極下高濃度不純物層幅の検討は行われていない。そこで本研究では、LDにより形成した電極化高濃度不純物層の最適化を行った。 
(英) Laser doping (LD) is a new process to produce a low-cost, high efficient crystalline silicon solar cells. Since LD can produce a solar cell in the room temperature, and it is possible to form an emitter layer selectively, efficient structures, such as selective emitter structure, can be made easily. In the selective emitter structure formed of LD, such as the width of an electrode, alignment of an electrode, the depth of an emitter layer and concentration, are important parameters, and those optimization is needed. Optimization of the emitter layer by laser output conditions has so far been performed1). However, examination of the selective emitter structure width of an electrode to electrode width is not performed. In this research, the high concentration impurities layer formed by LD was optimized.
キーワード (和) 結晶系シリコン太陽電池 / レーザードーピング / セレクティブエミッタ / / / / /  
(英) crystalline silicon solar cell / laser doping / selective emitter / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-131, pp. 95-99, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-131 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2012-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-131

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Optimization of a crystalline silicon solar cell which has the high concentration impurities layer under an electrode formed by continuous wave laser. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 結晶系シリコン太陽電池 / crystalline silicon solar cell  
キーワード(2)(和/英) レーザードーピング / laser doping  
キーワード(3)(和/英) セレクティブエミッタ / selective emitter  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 湯本 伸伍 / Shingo Yumoto / ユモト シンゴ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 英紀 / Hideki Nishimura / ニシムラ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平田 憲司 / Kenji Hirata / ヒラタ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉村 恵美 / Emi Sugimura / スギムラ エミ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者
発表日時 2012-12-07 15:15:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-131 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.95-99 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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