講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-12-07 15:15
連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化 ○湯本伸伍・西村英紀・平田憲司・杉村恵美・冬木 隆(奈良先端大) SDM2012-131 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-131 |
抄録 |
(和) |
レーザードーピング(LD)は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太陽電池を室温大気中で作製可能であり、所望の領域に選択的にエミッタ層を形成することが可能であることから、セレクティブエミッタ構造などの高効率構造を簡便に作製することができる。LDにより形成されたセレクティブエミッタ構造において、電極の幅や電極の位置合わせ、エミッタ層の深さや濃度などのパラメーターが重要であり、それらの最適化が必要になる。これまでレーザー出力条件によるエミッタ層の最適化は行われてきたが1)、電極幅に対する電極下高濃度不純物層幅の検討は行われていない。そこで本研究では、LDにより形成した電極化高濃度不純物層の最適化を行った。 |
(英) |
Laser doping (LD) is a new process to produce a low-cost, high efficient crystalline silicon solar cells. Since LD can produce a solar cell in the room temperature, and it is possible to form an emitter layer selectively, efficient structures, such as selective emitter structure, can be made easily. In the selective emitter structure formed of LD, such as the width of an electrode, alignment of an electrode, the depth of an emitter layer and concentration, are important parameters, and those optimization is needed. Optimization of the emitter layer by laser output conditions has so far been performed1). However, examination of the selective emitter structure width of an electrode to electrode width is not performed. In this research, the high concentration impurities layer formed by LD was optimized. |
キーワード |
(和) |
結晶系シリコン太陽電池 / レーザードーピング / セレクティブエミッタ / / / / / |
(英) |
crystalline silicon solar cell / laser doping / selective emitter / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-131, pp. 95-99, 2012年12月. |
資料番号 |
SDM2012-131 |
発行日 |
2012-11-30 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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