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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 10:30 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 ○村田耕司・森根達也・松浦秀治（阪電通大）・小野田 忍・大島 武（原子力機構）  SDM2012-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-117 |
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| 抄録 | （和） | Si (Silicon) に比べ，放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は，次世代パワーデバイスとして注目されている．しかし，半導体デバイスの設計には詳細な物性パラメータが必要であるが，Si に比べSiC は放射線耐性についての詳細なデータが少ない．そのため当研究室ではvan der Pauw 法を用いたHall 効果測定によりキャリア密度と移動度の温度依存性を測定した．その結果，高エネルギーの電子線照射によりキャリア密度と移動度の減少が起こることが分かった．本研究では，各種散乱機構の内，実験で得られた正孔の移動度の変化に最も影響を与える散乱機構を検討する． |
| （英） | SiC has advantages of higher resistance to radiation and higher breakdown electric field, compared with Si. Therefore, SiC attracts attention as a next-generation power device. Although the designs for semiconductor device structures require a lot of electrical properties in semiconductors, however, there is little information on SiC, especially related with resistance to radiation. In our laboratory, therefore, the temperature dependences of majority-carrier concentrations and mobilities in SiC have been measured by Hall-effect measurements using the van der Pauw method. As a result, it turns out that the irradiation of high-energy electrons to Al-doped SiC reduces the hole concentration and mobility. In this study, we simulate the temperature dependences of hole mobilities due to several scattering mechanisms, and discuss the hole scattering mechanism which affects the experimentally-obtained hole mobility the most. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / 電子線 / 移動度 / 散乱機構 / / / / |
| （英） | 4H-SiC / Electron Irradiation / Mobility / Scattering Mechanisms / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-117, pp. 13-18, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-117 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-117 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Change of Scattering Mechanisms of Holes in SiC by Electron Irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 電子線 / Electron Irradiation |
| キーワード(3)（和/英） | 移動度 / Mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 散乱機構 / Scattering Mechanisms |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 耕司 / Kohji Murata / ムラタ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森根 達也 / Tatsuya Morine / モリネ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura / マツウラ ヒデハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学 (略称： 阪電通大) Osaka Electro-Communication University (略称： Osaka Electro-Communication Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小野田 忍 / Shinobu Onoda / オノダ シノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 武 / Takeshi Ohshima / オオシマ タケシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構 (略称： 原子力機構) Japan Atomic Energy Agency (略称： JAEA) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 10:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-117 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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