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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 11:30
DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討
前野尚子松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大SDM2012-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-121
抄録 (和) 我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告した.本研究では,DNAチャネル/SiO2/Si(ゲート)構造におけるキャリア挙動について調査し,以下のことが明らかになった.1) dID/dVD 特性が極値を示す事は,DNAにトラップされた電子がチャネル中電界によりデトラップされたことを示唆する.2) デトラップされる電子の数はリフレッシュ電圧の大きさ,又は,印加時間と密接に関係しており,電圧が大きい程,又,印加時間が長い程,デトラップ電子の数は多い.3) DNAのトラップ位置はグアニンの禁制帯内の価電子帯端に近い位置と考えられる. 
(英) We produced electrodes with a gap of about 100nm by using the substrate Si, DNA was fixed between the electrodes, and it has reported that there is a charge retention characteristics. The carrier behavior of the DNA was examined using the DNA channel/SiO2/Si gate structure. The followings were clarified. 1) The phenomenon that the dID/dVD characteristics shows the maximum value indicates that the captured electrons in the guanine-base are detrapped by the electric field in the channel. 2) The refresh process of the DNA Memory FET is influenced by both the voltage applied to the gate and the duration for the refresh process. The number of the detrapped electrons increases as the refresh voltage increases. 3) The captured energy level of electron is near the valence band edge in the band gap of guanine-base and its density is large.
キーワード (和) DNA / FET / Si / トラップ / デトラップ / キャリア / 電荷保持 /  
(英) DNA / FET / Si / Trap / Detrap / Carrier / Charge retention property /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-121, pp. 37-40, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-121 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2012-121 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-121

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study of carrier behavior in memory transistor using DNA 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) DNA / DNA  
キーワード(2)(和/英) FET / FET  
キーワード(3)(和/英) Si / Si  
キーワード(4)(和/英) トラップ / Trap  
キーワード(5)(和/英) デトラップ / Detrap  
キーワード(6)(和/英) キャリア / Carrier  
キーワード(7)(和/英) 電荷保持 / Charge retention property  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前野 尚子 / Shoko Maeno / マエノ ショウコ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山名 一成 / Kazushige Yamana / ヤマナ カズシゲ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ
第4著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ
第5著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
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講演者
発表日時 2012-12-07 11:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-121 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.37-40 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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