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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 15:45 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析 ○杉村恵美・嶋崎成一・谷 あゆみ・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2012-133 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-133 |
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| 抄録 | （和） | 太陽電池の空間的な欠陥評価法としてエレクトロルミネッセンス(EL)イメージング法が注目されている。順方向バイアス印加時のEL発光は、拡散長及び、ブレイクダウン機構に密接に関連している。逆方向バイアス印加時のEL発光は、素子特性の劣化や発熱をもたらすシャント（漏れ電流）起源の発見技法として期待されている。本研究ではフォトリソグラフィを用いて小面積に分割した素子を用い、逆方向バイアスEL発光の有無による太陽電池特性への影響について検討し、ダイオード特性が変化することを確認した。発表では、局所的な電気的特性が及ぼす素子全体の特性への影響について議論を行う。 |
| （英） | The electroluminescence (EL) imaging has received spatially resolved information about the electronic material properties of silicon solar cells. The EL mechanism is different in EL under forward bias and reverse bias. EL under forward bias is proportional to total excess minority carrier density and deficiencies, such as cracks and defects, reduce minority carrier density, eventually this phenomenon induces spatial variations or in homogeneities as dark parts on EL images. In contrast, the EL under reverse bias is induced by high electric field mainly located in the depletion layer. The electrically active defects can be detected as hot spots, which are tightly related with harmful current shunt path. In this study, we have investigated impact of solar cell characteristics depend on the presence or absence of EL under reverse bias. The experimental sample was fabricated divided into a small area using photolithography. As a result, the presence of the EL device is reduced diode characteristic. From this, we will discuss characteristics and local electrical due to the presence of EL, the impact on the characteristics of the whole device. |
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| キーワード | （和） | 結晶系Si太陽電池 / 逆方向バイアス / エレクトロルミネッセンス / シャント / / / / |
| （英） | Crystalline Si solar cell / Reverse bias / Electroluminescence / Shunt / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-133, pp. 107-111, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-133 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-133 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-133 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric Characteristic of Crystalline Silicon Solar Cells using Electroluminescence Imaging under Reverse-based |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 結晶系Si太陽電池 / Crystalline Si solar cell |
| キーワード(2)（和/英） | 逆方向バイアス / Reverse bias |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / Electroluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | シャント / Shunt |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉村 恵美 / Emi Sugimura / スギムラ エミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋崎 成一 / Shigekazu Shimazaki / シマザキ シゲカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷 あゆみ / Ayumi Tani / タニ アユミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 15:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-133 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.107-111 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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