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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 16:45
金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響
沖元直樹岩田達哉西 佑介木本恒暢京大SDM2012-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-137
抄録 (和) 上部電極/TiO$_2$/Pt積層構造において、上部電極材料が抵抗スイッチング現象に与える影響について調べた。上部電極としてPt、Ag、Alを用いた場合に、それぞれノンポーラ型、バイポーラ型、不安定なノンポーラ型の動作を示した。Pt、Ag上部電極をカソードとして用いると類似のRS特性が確認された。このことから、Pt、AgのRSはアノード界面近傍で起こっていること示唆される。Al上部電極をカソードとして用いた場合は、フォーミングオフとなり、続くRSも不安定であった。これは、Al/TiO$_2$界面で発生する酸化還元反応が影響していると考える。 
(英) We have investigated the effects of the top electrode (TE) materials on the resistive switching (RS) characteristics of TE/TiO$_2$/Pt stack structures. TE/TiO2/Pt with Pt, Ag, Al as a TE showed a nonpolar, bipolar, or unstable nonpolar type RS behavior, respectivety. When TE was set as a cathode electrode, Ag-based devices showed similar characteristics to Pt-based ones. It is suggested that RS is induced near the anode. On the other hand, characteristics of Al-based devices differ from others, which the state of the devices aftter forming process showed High Resistance State (HRS) when Al was set as a cathodeelectrode. This result suggest redox reaction at Al/TiO$_2$ interface.
キーワード (和) ReRAM / TiO2 / 電極材料 / / / / /  
(英) ReRAM / TiO2 / Electrode Material / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-137, pp. 129-132, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-137 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2012-137 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-137

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of electrode materials on resistive switching characteristics of Metal/TiO2/Metal stack structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) TiO2 / TiO2  
キーワード(3)(和/英) 電極材料 / Electrode Material  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 沖元 直樹 / Naoki Okimoto / オキモト ナオキ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ,)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩田 達哉 / Tatsuya Iwata / イワタ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ,)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 佑介 / Yusuke Nishi / ニシ ユウスケ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ,)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ,)
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講演者
発表日時 2012-12-07 16:45:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-137 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.129-132 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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