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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 14:30
テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善
西村英紀田中成明森崎翔太湯本伸伍冬木 隆奈良先端大SDM2012-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-129
抄録 (和) レーザードーピング(LD)は高効率結晶Si太陽電池の簡便な作製プロセスとして注目される。しかし隆起形状を持つ基板にLDを適用すると、表面が粗く変形し、再結合中心が発生した。そこで本研究ではテクスチャ構造を持つ基板にLDを適用し、基板表面の化学的結合状態を疎水性から親水性に変化させた。その結果基板―ドーパント界面の密着性が強化され、ドーピング後の表面の粗さが軽減されるとともに太陽電池特性を改善させることを確認した。 
(英) The laser doping (LD) has many attention because it enable improvement of the cell efficiency and reduction of the cost of production. However, if substrate applied to LD had surface roughness, the cratered defects were generated after LD and it became recombination center. In this study, we changed interface condition from hydrophobic to hydrophilic in order to apply LD to textured silicon substrate. In the result, the interface adhesion between dopant and substrate was strengthened and we achieved reduction of surface roughness, and improvement of photovoltaic characteristic.
キーワード (和) テクスチャシリコン / レーザードーピング / 太陽電池 / / / / /  
(英) Textured silicon / Laser doping / Solar cell / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-129, pp. 83-87, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-129 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2012-129 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-129

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of the electronic states by controlling the interface between dopant and substrate in laser doping for textured silicon 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テクスチャシリコン / Textured silicon  
キーワード(2)(和/英) レーザードーピング / Laser doping  
キーワード(3)(和/英) 太陽電池 / Solar cell  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 英紀 / Hideki Nishimura / ニシムラ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 成明 / Shigeaki Tanaka / タナカ シゲアキ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森崎 翔太 / Shota Morisaki / モリサキ ショウタ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 湯本 伸伍 / Shingo Yumoto / ユモト シンゴ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者
発表日時 2012-12-07 14:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-129 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.83-87 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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