講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-12-07 10:45
4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆(奈良先端大) SDM2012-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-118 |
抄録 |
(和) |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の低減効果を報告してきた。そこで、高いチャネル移動度が報告されている(11-20)面(a面)に対してPOCl3アニールを行ったMOSキャパシタを作製し、界面特性の評価を行った。本研究では熱酸化膜と堆積酸化膜の2種類のゲート酸化膜に対してP導入による界面準位の低減効果を調べた。その結果、堆積酸化膜の試料にのみ界面準位密度の低減が見られたが、Si面のような大幅な界面特性の改善効果は見られなかった。 |
(英) |
We have already reported that the interface state density of MOS capacitors on n-type 4H-SiC (0001) and (000-1) faces can be greatly reduced by POCl3 annealing. In this work, we examined the effect of POCl3 annealing on the SiO2/n-type 4H-SiC (11-20) interface properties. As a gate oxide, we used thermally-grown oxides and deposited oxides. POCl3 annealing slightly reduced the interface state density on the deposited SiO2/n-type 4H-SiC (11-20) structure. |
キーワード |
(和) |
4H-SiC / MOS / (11-20)面 / リン / POCl3アニール / / / |
(英) |
4H-SiC / MOS / (11-20) / phosphorus / POCl3 anneal / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-118, pp. 19-23, 2012年12月. |
資料番号 |
SDM2012-118 |
発行日 |
2012-11-30 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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