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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 10:15
塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング
畑山智亮堀 良太田村哲也矢野裕司冬木 隆奈良先端大SDM2012-116 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-116
抄録 (和) 900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッチピットが形成され、SiC中の不純物濃度に依存せず転位の種類を同定した。一方、C原子で終端された(000-1)C面はSiC結晶面の中でエッチング速度が最も速く、10μm/h以上を得た。プラズマレス工程で得られたSiC結晶面の電気特性を評価し、エッチング損傷がないことを明らかにした。 
(英) Silicon carbide (SiC) could be etched by a plasmaless process in chlorine based ambient over 900oC. The etch pits were formed on the Si-terminated (0001) face. On the other hand, the etching rate of the C-terminated (000-1) face was fastest in all SiC crystal faces, which could be obtained over 10μm/h. To evaluate an etching damage, Schottky contacts were fabricated on the plasmaless etched surface, and a leakage current was low under the reverse bias condition.
キーワード (和) 炭化ケイ素 / エッチング / プラズマレス / 塩素 / 酸素 / 結晶面 / 電子線起電流 / 転位  
(英) SiC / etching / plasmaless / chlorine / oxygen / crystal planes / EBIC / dislocation  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-116, pp. 7-12, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-116 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Plasmaless etching of silicon carbide using chlorine based gas 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 炭化ケイ素 / SiC  
キーワード(2)(和/英) エッチング / etching  
キーワード(3)(和/英) プラズマレス / plasmaless  
キーワード(4)(和/英) 塩素 / chlorine  
キーワード(5)(和/英) 酸素 / oxygen  
キーワード(6)(和/英) 結晶面 / crystal planes  
キーワード(7)(和/英) 電子線起電流 / EBIC  
キーワード(8)(和/英) 転位 / dislocation  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀 良太 / Ryouta Hori / ホリ リョウタ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田村 哲也 / Tetsuya Tamura / タムラ テツヤ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者
発表日時 2012-12-07 10:15:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-116 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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