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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 13:30
デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析
浦川 哲上岡義弘山崎はるか石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2012-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-125
抄録 (和) 透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として,薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が非常に期待されている.しかしながら,TAOSはアモルファス構造に起因したギャップ内DOS(DOS)によって特性劣化が引き起こされることが報告されている.本研究では,劣化現象を解明するためATLASを用いてシミュレーションを行った.また,TAOS-TFTの信頼性試験で得られた電流電圧特性を理論的に解析することによってDOSの経時変化を分析した. 
(英) Transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) has attracted considerable attention as an alternative material for a-Si to develop thin film transistors for next generation devices. However, it has reported that a degradation phenomenon for TAOS was caused by changing of density of state (DOS) in the bulk based on amorphous structure. In this report, we have performed device simulation (ATLAS) in order to clarify the degradation phenomena.
キーワード (和) 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / デバイスシミュレーション / 欠陥準位 / 界面トラップ / / /  
(英) oxide semiconductor / thin film transistor / device simulation / density of state / inteface trap / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-125, pp. 59-64, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-125 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2012-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-125

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Theoretical Analysis of Degradation Phenomena in a-Oxide TFT by Device Simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化物半導体 / oxide semiconductor  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin film transistor  
キーワード(3)(和/英) デバイスシミュレーション / device simulation  
キーワード(4)(和/英) 欠陥準位 / density of state  
キーワード(5)(和/英) 界面トラップ / inteface trap  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦川 哲 / Satoshi Urakawa / ウラカワ サトシ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上岡 義弘 / Yoshihiro Ueoka / ウエオカ ヨシヒロ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 はるか / Haruka Yamazaki / ヤマザキ ハルカ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第5著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者
発表日時 2012-12-07 13:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-125 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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