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講演抄録/キーワード
講演名 2012-12-07 10:00
超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
梶 直樹丹羽弘樹須田 淳木本恒暢京大SDM2012-115 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-115
抄録 (和) 超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Junction Termination Extension (JTE)構造をデバイスシミュレーションにより設計し、厚さ186 μm、ドーピング密度2~3×1014 cm-3であるn型SiCの耐圧維持層を用いて、広い範囲のJTEドーズ量で超高耐圧(>17 kV)のSiC PiNダイオードを実現した。また、熱酸化によるキャリア寿命向上プロセスにより、耐圧維持層のキャリア寿命が1.07 μsから19.4 μsに増大し、電流密度100 A/cm2、150oCにおいて、順方向オン電圧、オン抵抗がそれぞれ5.40 V、17.8 mΩcm2となり、熱酸化を行わなかったPiNダイオードと比較して大幅に改善することを示した。 
(英) Designing of edge termination structure is an essential technique to realize ultrahigh-voltage SiC bipolar devices. In this study, we have designed edge termination by device simulation, especially Space-Modulated Junction Termination Extension (SM-JTE) structure that our group proposed. With the designed SM-JTE, we have fabricated SiC PiN diodes with over 17 kV breakdown voltages in wider range of JTE dose, which indicates SM-JTE is a promising edge termination structure to realize ultrahigh-voltage SiC bipolar devices. Furthermore, by performing lifetime enhancement process via thermal oxidation, we have demonstrated drastic improvement of the on-state voltage drop and the differential on-resistance of the PiN diodes.
キーワード (和) SiC / PiNダイオード / 接合終端構造 / デバイスシミュレーション / キャリア寿命 / / /  
(英) SiC / PiN diode / Junction Termination Extension (JTE) / Device simulation / Carrier lifetime / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-115, pp. 1-5, 2012年12月.
資料番号 SDM2012-115 
発行日 2012-11-30 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2012-115 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-115

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-12-07 - 2012-12-07 
開催地(和) 京都大学(桂) 
開催地(英) Kyoto Univ. (Katsura) 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価 
テーマ(英) Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-12-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of ultrahigh-voltage SiC PiN diodes with low-on resistance 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC  
キーワード(2)(和/英) PiNダイオード / PiN diode  
キーワード(3)(和/英) 接合終端構造 / Junction Termination Extension (JTE)  
キーワード(4)(和/英) デバイスシミュレーション / Device simulation  
キーワード(5)(和/英) キャリア寿命 / Carrier lifetime  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶 直樹 / Naoki Kaji / カジ ナオキ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 丹羽 弘樹 / Hiroki Niwa / ニワ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2012-12-07 10:00:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-115 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.337 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2012-11-30 


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