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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 10:00 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 ○梶 直樹・丹羽弘樹・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2012-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-115 |
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| 抄録 | （和） | 超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Junction Termination Extension (JTE)構造をデバイスシミュレーションにより設計し、厚さ186 μm、ドーピング密度2~3×1014 cm-3であるn型SiCの耐圧維持層を用いて、広い範囲のJTEドーズ量で超高耐圧(>17 kV)のSiC PiNダイオードを実現した。また、熱酸化によるキャリア寿命向上プロセスにより、耐圧維持層のキャリア寿命が1.07 μsから19.4 μsに増大し、電流密度100 A/cm2、150oCにおいて、順方向オン電圧、オン抵抗がそれぞれ5.40 V、17.8 mΩcm2となり、熱酸化を行わなかったPiNダイオードと比較して大幅に改善することを示した。 |
| （英） | Designing of edge termination structure is an essential technique to realize ultrahigh-voltage SiC bipolar devices. In this study, we have designed edge termination by device simulation, especially Space-Modulated Junction Termination Extension (SM-JTE) structure that our group proposed. With the designed SM-JTE, we have fabricated SiC PiN diodes with over 17 kV breakdown voltages in wider range of JTE dose, which indicates SM-JTE is a promising edge termination structure to realize ultrahigh-voltage SiC bipolar devices. Furthermore, by performing lifetime enhancement process via thermal oxidation, we have demonstrated drastic improvement of the on-state voltage drop and the differential on-resistance of the PiN diodes. | |
| キーワード | （和） | SiC / PiNダイオード / 接合終端構造 / デバイスシミュレーション / キャリア寿命 / / / |
| （英） | SiC / PiN diode / Junction Termination Extension (JTE) / Device simulation / Carrier lifetime / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-115, pp. 1-5, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-115 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of ultrahigh-voltage SiC PiN diodes with low-on resistance |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | PiNダイオード / PiN diode |
| キーワード(3)（和/英） | 接合終端構造 / Junction Termination Extension (JTE) |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device simulation |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア寿命 / Carrier lifetime |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶 直樹 / Naoki Kaji / カジ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丹羽 弘樹 / Hiroki Niwa / ニワ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 10:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-115 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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