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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-12-07 14:00 ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析 ○村井剛太・奥谷真士・田川修治・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters）  SDM2012-127 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-127 |
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| 抄録 | （和） | ナノスケールでウエットエッチングした試料のホトルミネセンス(PL)を低温と室温で観測することによって，極浅接合の欠陥の深さ方向に関する知見を得た．低温PL測定ではエッチングするにつれて，注入層中の欠陥が消滅していく様子を捉えた．ラマン分光法でアモルファス層が観測され再結晶化が進んでいない場合、注入層中の欠陥の存在のために室温でのPL強度は低下し，エッチングにより注入層を除去するとPL強度が増大した．一方，再結晶化が進行しアモルファス層が消失した試料では，注入層の存在はPL強度に影響せず，エッチングを行なってもPL強度は一定であった．再結晶化が進行した試料の室温PL強度は，注入層より深い領域の欠陥量を反映することを明確にした．室温PL測定は4探針測定では捉えられない注入層より深い領域の欠陥を敏感に検出できる．室温PL法より極浅接合の電気的特性を反映した知見を，光学的手法で非破壊かつ非接触で得られることを示した． |
| （英） | The photoluminescence (PL) intensity at room temperature increased with decreasing defect density measured by DLTS(deep level transient spectroscopy). The contribution of nonradiative recombination in the ultra-shallow implanted layer was evaluated by removing the implanted layer. It is concluded that the intensity change by the annealing is mainly ascribed to the defects in the depletion layer of the pn junction, i.e. the region beneath the implanted layer. The defects detected by DLTS in the depletion layer work as a parallel resistance, and cause the leakage current under the open circuit condition during the PL measurement. Consequently, the PL intensity emitted from the region beneath the depletion layer decreases with increasing density of defects in the depletion layer. PL measurements enable us to monitor defect generation and annihilation, which has been characterized by monitoring electrical properties, including rectifying characteristics and DLTS of ultra-shallow junction. | |
| キーワード | （和） | 極浅接合 / イオン注入 / ナノスケールウエットエッチング / ホトルミネセンス / DLTS / / / |
| （英） | ultra-shallow junction / ion implantation / nanoscale wet etching / photoluminescence / DLTS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 337, SDM2012-127, pp. 71-76, 2012年12月. | |
| 資料番号 | SDM2012-127 | |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-127 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-127 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-12-07 - 2012-12-07 |
| 開催地（和） | 京都大学(桂) |
| 開催地（英） | Kyoto Univ. (Katsura) |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Depth analysis of ultra-shallow junctions by photoluminescence with the aid of nano-scale wet etching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極浅接合 / ultra-shallow junction |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | ナノスケールウエットエッチング / nanoscale wet etching |
| キーワード(4)（和/英） | ホトルミネセンス / photoluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村井 剛太 / Gota Murai / ムライ ゴウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥谷 真士 / Masashi Okutani / オクタニ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田川 修治 / Syuji Tagawa / タガワ シュウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 昌広 / Masahiro Yoshimoto / ヨシモト マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学 (略称： 京都工繊大) Kyoto Institute of Technology (略称： Kyoto Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Woo Sik Yoo / Woo Sik Yoo / |
| 第5著者 所属（和/英） | WaferMasters,Inc (略称： WaferMasters) WaferMasters,Inc (略称： WaferMasters) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-12-07 14:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-127 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.337 |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-30 (SDM) |
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