講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-11-30 11:50
サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用 ○土屋貴義・梅田慎也・曽和美保子(名城大)・近藤俊行・北野 司・森 みどり・鈴木敦志・難波江宏一・関根 均(エルシード)・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇(名城大) ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 |
抄録 |
(和) |
LEDおいて高い光取り出し効率が期待されるモスアイ加工サファイア基板(Moth-eye patterned sapphire substrate; MPSS)を作製するため、サファイアに対して高いエッチング選択比を得るためのドライエッチング工程の検討を実施した。また、結晶成長に適したコーン形状に制御可能なドライエッチング条件の検討を行った。さらに周期を460nmに固定し、コーンの高さを250nm、300nm、350nmとしたMPSSを作製し、MPSS上の青色LEDの光取り出し効率の比較を行った。コーン高さによる光取り出し効率の依存性はほとんど見られず、いずれも未加工のサファイア基板と比較して約1.4倍に向上することがわかった。 |
(英) |
Fabrication processes of a moth-eye patterned sapphire substrate (MPSS), which can enhance a light extraction efficiency of nitride-based light emitting diodes (LEDs) have been examined.
Optimization of structural parameters of MPSS for high-quality GaN growth was also performed. Then, we fabricated MPSS samples with a fixed pitch 460nm, and a height of corns of 250, 300 and 350nm. Light extraction efficiency of blue-LEDs growth on a series of MPSS was enhanced 1.4 times as compared with the devices grown on a flat sapphire substrate, while there is no dependence of height of corns on LED performance. |
キーワード |
(和) |
PSS / Moth-eye / UVナノインプリントリソグラフィー / ドライエッチング / LED / / / |
(英) |
PSS / Moth-eye / UV-nanoimprinting technique / Dry etching / LEDs / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-110, pp. 75-80, 2012年11月. |
資料番号 |
LQE2012-110 |
発行日 |
2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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