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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-30 14:55 InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 ○今井大地・石谷善博（千葉大）・王 新強（北京大物理学院）・草部一秀・吉川明彦（千葉大）  ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 |
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| 抄録 | （和） | InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について，熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結合中心となる欠陥へのキャリア輸送過程に着目して解析を行った。禁制帯中央付近に位置する準位を介した輻射再結合が観測されたが，主要な発光効率低減過程はフォノン放出を伴う非輻射再結合であることが分かり、電子捕獲型の欠陥が非輻射再結合中心の候補と考えられる。またn型試料とp型試料の発光強度差は少数キャリア拡散長および配位場座標系に現れる状態遷移過程の支配的活性化エネルギーの違いを反映していると考えられる。InNでは非輻射再結合速度決定機構において熱活性化過程およびキャリア輸送過程が大きな影響を及ぼしている。 |
| （英） | Carrier transition processes via deep states leading to the reduction of the band edge radiative recombination efficiency have been analyzed by infrared (IR) spectroscopic measurements. We focus on the thermally activated non-radiative recombination (NR), radiative transition via deep states, and carrier transportation processes by NR defects. Although we have found the radiative recombination via deep states, the dominant carrier recombination processes is NR by phonon emission processes. Candidate defects of the NR centers are accepter nature. The difference in the PL intensity between n and p-type samples are caused by the difference in the minority carrier diffusion length and effective NR activation energy in the configuration coordinate diagram. NR rate in InN is highly affected by the carrier transportation and thermal activation processes. | |
| キーワード | （和） | 窒化インジウム / 非輻射再結合 / 深い準位 / 非輻射性活性化エネルギー / キャリア輸送過程 / / / |
| （英） | InN / Non-radiative recombination / Deep state / Activation energy / Carrier transport process / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-115, pp. 103-108, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-115 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Effect of Carrier Transport and Thermal Activation Processes on Non-radiative Carrier Recombination Processes in InN Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化インジウム / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 非輻射再結合 / Non-radiative recombination |
| キーワード(3)（和/英） | 深い準位 / Deep state |
| キーワード(4)（和/英） | 非輻射性活性化エネルギー / Activation energy |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア輸送過程 / Carrier transport process |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 大地 / Daichi Imai / イマイ ダイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石谷 善博 / Yoshihiro Ishitani / イシタニ ヨシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 (略称： 千葉大) Graduate school of Electric and Electronic Engineering, Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 王 新強 / Xinqiang Wang / ワン シンチャン |
| 第3著者 所属（和/英） | 北京大学物理学院 (略称： 北京大物理学院) School of Physics, Peking University (略称： Peking Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草部 一秀 / Kazuhide Kusakabe / クサカベ カズヒデ |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学SMARTグリーンイノベーション研究拠点 (略称： 千葉大) Center for SMART Green Innovation Research (略称： Chiba Univ. SMART) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 明彦 / Akihiko Yoshikawa / ヨシカワ アキヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学SMARTグリーンイノベーション研究拠点 (略称： 千葉大) Center for SMART Green Innovation Research (略称： Chiba Univ. SMART) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-87, CPM2012-144, LQE2012-115 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.103-108 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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