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| 講演名 | 2012-11-30 11:00 Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
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| 抄録 | （和） | 希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されている．本研究では，Mg共添加GaN:Eu発光ダイオードを作製し，電気特性及び発光特性を調べた．立ち上がり電圧3.3Vを有する整流特性が観察され，Euイオンの5D0-7F2遷移に対応した620nm付近のピークが観測された．Mg共添加は発光強度の増大をもたらすとともに，活性層の高抵抗化を引き起こした．更なるLED特性の改善のために，Eu濃度依存性の視点から活性層の最適化を試みた．GaN:Euにおいて，Eu濃度8x1019cm-3以下の領域ではEu起因の発光がほとんど観測されなかったが，GaN:Eu,MgではEu濃度が低い領域においてもサイトAからの強い発光が観測された．これは不活性なサイトに取り込まれていたEuイオンが光学的に活性なサイトAに取り込まれたためであると考えられた．またMg添加のサンプルではPL強度がEu濃度に依らず一定であったため，Eu濃度の低いMg共添加層を活性層とすればLED特性の更なる改善が期待できると考えられる． |
| （英） | Rare-earth doped semiconductor is a promising candidate for next generation light-emitting devices due to superior optical characteristics, such as narrow spectrum and small temperature quenching. In this study, red light-emitting diodes (LEDs) with Mg codoped GaN:Eu (GaN:Eu,Mg) active layer were fabricated by NH3-MBE. The rectification characteristics with turn-on voltage of approximately 3.3 V was observed. Sharp red emission corresponding to 5D0-7D2 transition was observed around 620 nm. Mg codoping brought about not only the improvement of emission intensity but the increase of serial resistance of active layer. For further development of GaN:Eu LEDs, Eu concentration dependence of optical properties was investigated. The emission from Eu ions was not observed for GaN:Eu with Eu concentration of less than 8x1019cm-3, but the strong emission from site A was observed for GaN:Eu,Mg with low Eu concentration. This was caused by that Eu ions incorporated in inactive optical sites were incorporated in site A by Mg codoping. For Mg codoped samples, PL integrated intensity was almost constant regardless of Eu concentration. Therefore, the use of GaN:Eu,Mg with low Eu concentration leads to improve the LED characteristics. | |
| キーワード | （和） | 希土類添加半導体 / Eu / GaN / Mg共添加 / 分子線エピタキシー / / / |
| （英） | Rare-earth doped semiconductor / Eu / GaN / Mg co-doping / molecular-beam epitaxy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-108, pp. 65-70, 2012年11月. | |
| 資料番号 | LQE2012-108 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of red light emitting diode with GaN:Eu,Mg active layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 希土類添加半導体 / Rare-earth doped semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Eu / Eu |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | Mg共添加 / Mg co-doping |
| キーワード(5)（和/英） | 分子線エピタキシー / molecular-beam epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大谷 龍輝 / Tatsuki Otani / オオタニ タツキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 康文 / Yasufumi Takagi / タカギ ヤスフミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K.K. (略称： Hamamatsu Photonics K.K.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-30 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2012-80, CPM2012-137, LQE2012-108 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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