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講演抄録/キーワード
講演名 2012-11-30 10:20
ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製
森田隆敏加賀 充桑野侑香松井健城竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤サキ 勇名城大/名大ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107
抄録 (和) 窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改善するために、従来のpn構造を逆に積層したnp構造LEDの実現を目指している。本報告では、このnp構造ではキャリアオーバーフローが抑制される様子を理論計算により示した。続いて、トンネル接合を利用したnp構造を試作した。その結果、全面発光するLEDが実現できた。一方で、従来のpn構造に比べ、駆動電圧増加および光出力低下が確認された。これは、トンネル接合での不十分なMg濃度と、活性層での不必要なMg混入が原因であり、さらなる改善によりドループ現象の抑制が期待される。 
(英) A decrease of external quantum efficiency with an increase of injection current in nitride semiconductor LEDs, a so-called efficiency droop, has been an issue. We have been developing an np-junction LED consisting of a reversed layer structure of a conventional pn-junction LED in order to reduce the droop. In this report, our theoretical calculation indicated that carrier overflow was suppressed in the np-junction LEDs. In addition, the np-junction LED was designed and fabricated with a tunnel junction. We then achieved uniform emission from the np-junction LED. At the same time, an increase of driving voltage and a decrease of light output power were observed compared to those of the conventional pn-junction LED. An insufficient Mg concentration at the tunnel junction and an unintentional Mg incorporation at the active region are the reasons for poor device performances. A suppression of the droop will be expected by further improvement of the np-junction LEDs.
キーワード (和) np接合LED / ドループ現象 / トンネル接合 / 内蔵電界 / Mg濃度 / GaN / /  
(英) np-junction LED / efficiency droop / tunnel junction / built-in electric field / Mg concentration / GaN / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-107, pp. 59-64, 2012年11月.
資料番号 LQE2012-107 
発行日 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2012-11-29 - 2012-11-30 
開催地(和) 大阪市立大学 
開催地(英) Osaka City University 
テーマ(和) 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
テーマ(英) Nitride and Compound Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2012-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Nitride semiconductor np-LEDs for improvement of efficiency droop 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) np接合LED / np-junction LED  
キーワード(2)(和/英) ドループ現象 / efficiency droop  
キーワード(3)(和/英) トンネル接合 / tunnel junction  
キーワード(4)(和/英) 内蔵電界 / built-in electric field  
キーワード(5)(和/英) Mg濃度 / Mg concentration  
キーワード(6)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森田 隆敏 / Takatoshi Morita / モリタ タカトシ
第1著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加賀 充 / Mitsuru Kaga / カガ ミツル
第2著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑野 侑香 / Yuka Kuwano / クワノ ユカ
第3著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 健城 / Kenjo Matsui / マツイ ケンジョウ
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ
第7著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤サキ 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム
第8著者 所属(和/英) 名城大学/名古屋大学 (略称: 名城大/名大)
Meijo University (略称: Meijo Univ. Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2012-11-30 10:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-ED2012-79,IEICE-CPM2012-136,IEICE-LQE2012-107 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2012-11-22,IEICE-CPM-2012-11-22,IEICE-LQE-2012-11-22 


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