講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-11-30 16:00
Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討 ○日野雄司・尾崎信彦(和歌山大)・大河内俊介(NEC)・池田直樹・杉本喜正(物質・材料研究機構) ED2012-89 CPM2012-146 LQE2012-117 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2012-89 CPM2012-146 LQE2012-117 |
抄録 |
(和) |
近年、新たな医療イメージング技術として光干渉断層計(OCT)が注目されている。OCTは今後、より汎用的な医療イメージング装置として発展するために、さらなる高分解能化や高到達深度が求められている。OCTの高分解能化には広帯域な光源が必要となる。また、高到達深度を得るには、光源の発光中心波長を水やヘモグロビンによる吸収・散乱が少ない1.05umすることが望ましい。本研究は、発光材料に自己組織化InAs量子ドット(QD)を用いることで、上記のような光源作製を目指している。今回、成長時にIn-flush法を用いて1um帯への発光波長制御を行った。結果、InAs-QDの発光波長を1.22umから約270nm短波長化させることができ、1.05umを中心に約220nmの帯域を確保できる可能性が示された。 |
(英) |
We have grown self-assembled InAs quantum dots (QDs) on a GaAs substrate emitting at around 1.05um in wavelength using the In-flush technique. This technique enables the realization of a broadband 1.05-um light source with a bandwidth of beyond 200 nm via a combination of fabricated In-flushed QDs. Such a broadband light source is applicable to optical coherence tomography (OCT), thereby enabling high-resolution and large penetration depth in the OCT images. In addition, we found that a higher emission intensity of the In-flushed QDs can be obtained by reducing the annealing temperature of the In-flush process. |
キーワード |
(和) |
InAs量子ドット / In-flush / OCT / / / / / |
(英) |
InAs quantum dot / In-flush / OCT / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 329, LQE2012-117, pp. 113-116, 2012年11月. |
資料番号 |
LQE2012-117 |
発行日 |
2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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