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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-11-29 14:20 Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 ○常家卓也・分島彰男・江川孝志（名工大）  ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 |
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| 抄録 | （和） | Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(Id(t))の過渡現象の評価を行った。光の波長を変え評価した結果、より短波長の光照射時において回復が早い段階で起こる事が分かった。しかし、260 nmの波長を照射時では300 nm照射時よりも回復が遅くなった。光照射時の過渡電流を測定中に光を消すと、瞬時にドレイン電流が急に下がり、その後電流の回復は起こらず減少し続ける。このことより、光照射によってId(t)に見せかけの回復が起きたことが分かった。高い光エネルギーにより熱平衡時のフェルミ準位と擬フェルミ準位の関係が逆転したと考えられるが、このモデルだけは、光照射後オフした場合のドレイン電流過渡応答のすべてを説明することが困難であることが分かった。 |
| （英） | We evaluated a transient response of a drain current (Id(t)) of an AlGaN/GaN HEMT on a Si substrate under light irradiation to investigate effect of the light on a current collapse. From the dependence of a wavelength, as a shorter wavelength light down to 300 nm was irradiated, earlier recovery of Id(t) was observed. However, the recovery under 260-nm light irradiation was delayed comparing to that under 300-nmlight irradiation. Moreover, we observed that Id(t) abruptly fell down when the light was turned off during Id(t) measurement . Moreover, Id(t) continued to decrease. From this result, we believe that light irradiation induces pseudo-recovery of Id(t). The abrupt decrease in Id(t) at light-off can be explained by assumption that excess energy of light irradiation inverses correlation between intrinsic and pseudo Fermi level. However, this model is insufficient to explain continuous decrease in Id(t) after light-off. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / 高電子移動度トランジスタ / 電流コラプス / 光照射 / / / / |
| （英） | GaN / HEMT / Current Collapse / Light Irradiation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 327, ED2012-72, pp. 29-32, 2012年11月. | |
| 資料番号 | ED2012-72 | |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2012-11-29 - 2012-11-30 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学 |
| 開催地（英） | Osaka City University |
| テーマ（和） | 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 |
| テーマ（英） | Ｎｉｔｒide and Compound Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of transient current of GaN HEMTs on Si under light |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(4)（和/英） | 光照射 / Light Irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 常家 卓也 / Takuya Joka / ジョウカ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 分島 彰男 / Akio Wakejima / ワケジマ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-11-29 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-72, CPM2012-129, LQE2012-100 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.327(ED), no.328(CPM), no.329(LQE) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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