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講演抄録/キーワード
講演名 2012-10-26 13:00
Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator
Min LiaoTokyo Inst. of Tech.)・Hiroshi IshiwaraKonkuk Univ.)・Shun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.SDM2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-95
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文献情報 信学技報, vol. 112, no. 263, SDM2012-95, pp. 33-36, 2012年10月.
資料番号 SDM2012-95 
発行日 2012-10-18 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2012-10-25 - 2012-10-26 
開催地(和) 東北大学未来研 
開催地(英) Tohoku Univ. (Niche) 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process science and new process technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2012-10-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 廖 敏 / Min Liao / リョウ ミン
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石原 宏 / Hiroshi Ishiwara / イシワラ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 建国大学 (略称: 建国大)
Konkuk University (略称: Konkuk Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2012-10-26 13:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2012-95 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.263 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2012-10-18 


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