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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-26 13:25 H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析 ○永冨瑛智・山口直也・竹内智彦・里本宗一・加藤孝弘・安井寛治（長岡技科大）  CPM2012-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2012-93 |
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| 抄録 | （和） | 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと気相中で反応させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、サファイアA面基板上にZnO結晶膜を成長させた。様々な厚さのZnO膜を成長させそれらの電気伝導特性を調べたところ、約2800 nmまで膜厚の増加に伴い移動度は大きくなり500nm以下とそれ以上の膜厚で大きく電気伝導特性が異なり基板-膜界面に高密度の欠陥を有する縮退層の存在が窺われた。またSIMS測定から水素とボロンがそれぞれ10^{18} cm^{-3} and 10^{17} cm^{-3}のオーダーで検出され、これら２つの不純物元素が外因性ドナーであると考えられた。ZnO膜を100nm程度の縮退層とその上の半導体層に分けた二層モデルを用いまた2ドナーモデルを用いてキャリア密度の温度特性を解析した。 |
| （英） | Electrical properties of ZnO thin films, which were grown through a reaction between dimethylzinc and high-energy H_2O produced by a Pt-catalyzed H_2 - O_2 reaction, were measured. From the thickness dependence of the electrical properties, electron mobility increased with film thickness until approximately 2800 nm. The electron mobility at room temperature increased from 54 to 189 cm^{2}V^{-1}s^{-1} with increasing film thickness from 200 nm to 2800 nm. From the temperature dependence of the electron mobility, the electron mobility increased significantly with decreasing temperature to approximately 100-150 K, but decreased at temperatures less than 100 K for films greater than 500 nm in thickness. In contrast, the electron mobility hardly changed with temperature for films lesser than 500 nm in thickness. The electron mobility and electron concentration of the upper layer were corrected based on the above results, assuming that the degenerate layer was 100 nm in thickness. Hydrogen and boron atoms were detected on the order of 10^{18} cm^{-3} and 10^{17} cm^{-3}, respectively, by secondary ion mass spectroscopy. These atoms are considered to be donor impurities in ZnO. Therefore, temperature dependence of the electron concentrations of the ZnO films was analyzed using a two-donor model. | |
| キーワード | （和） | ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / 電気特性 / キャリア密度 / 二層モデル / 2ドナーモデル / |
| （英） | ZnO / catalytic reaction / high-energy H2O / electrical properties / carrier concentration / two-layer model / two donor model / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-93, pp. 1-5, 2012年10月. | |
| 資料番号 | CPM2012-93 | |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2012-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2012-93 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2012-10-26 - 2012-10-27 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2012-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析 |
| サブタイトル（和） | * |
| タイトル（英） | Electronic properties of ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H2O generated by a catalytic reaction |
| サブタイトル（英） | Analysis using a two layer model |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | 高エネルギーH2O / high-energy H2O |
| キーワード(4)（和/英） | 電気特性 / electrical properties |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア密度 / carrier concentration |
| キーワード(6)（和/英） | 二層モデル / two-layer model |
| キーワード(7)（和/英） | 2ドナーモデル / two donor model |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永冨 瑛智 / Eichi Nagatomi / ナガトミ エイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Tecnology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 直也 / Naoya Yamaguchi / ヤマグチ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Tecnology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 智彦 / Tomohiko Takeuchi / タケウチ トモヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Tecnology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 里本 宗一 / Souichi Satomoto / サトモト ソウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Tecnology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 孝弘 / Takahiro Kato / カトウ タカヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Tecnology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Tecnology (略称： Nagaoka Univ. Technol.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-26 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2012-93 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.265 |
| ページ範囲 | pp.1-5 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-10-19 (CPM) |
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