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講演抄録/キーワード
講演名 2012-10-26 14:15
スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討
名越克仁富口祐輔清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大CPM2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-95
抄録 (和) 本研究では,市販ターゲットを用い,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法による膜堆積時の基板温度変化や堆積後の熱処理によって,作製されるAZO薄膜に及ぼす影響の検討を行った。その結果,基板温度を上昇させることにより,膜の結晶性が向上するのに対し,熱処理による結晶性の大きな向上は得られなかった。また,本研究にて作製した膜は,移動度が小さいことから,約1×10-3Ω・cmとITO膜などに比べ,大きな値であった。 
(英) We examined the effects of the substrate temperature and post-annealing in vacuum less than 2.0×10-6 Torr of AZO thin films prepared by the RF-DC coupled MS method and using a commercial target. As a result, the crystallinity of the films was improved by increasing the substrate temperature, but post-annealing in vacuum of AZO thin films was not effective. AZO film of lowest resistivity in this study had about 1×10-3Ω·cm. However, resistivity of that film is a large resistivity compared with resistivity of general ITO films. This is caused by low mobility of that film.
キーワード (和) ZnO系透明導電膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / AZO / 抵抗率 / / / /  
(英) ZnO thin films / RF-DC coupled MS method / AZO / Resistivity / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 265, CPM2012-95, pp. 13-16, 2012年10月.
資料番号 CPM2012-95 
発行日 2012-10-19 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2012-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2012-95

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2012-10-26 - 2012-10-27 
開催地(和) まちなかキャンパス長岡 
開催地(英)  
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2012-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Examination of Resistivity of AZO Thin Films Deposited by Sputtering Method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ZnO系透明導電膜 / ZnO thin films  
キーワード(2)(和/英) RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled MS method  
キーワード(3)(和/英) AZO / AZO  
キーワード(4)(和/英) 抵抗率 / Resistivity  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 名越 克仁 / Katsuhito Nagoshi / ナゴシ カツヒト
第1著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 富口 祐輔 / Yusuke Tomiguchi / トミグチ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu / シミズ ヒデヒコ
第3著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩野 春男 / Haruo Iwano / イワノ ハルオ
第4著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami / カワカミ タカヒロ
第5著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima / フクシマ ヤスオ
第6著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 向太郎 / Kotaro Nagata / ナガタ コウタロウ
第7著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 坪井 望 / Nozomu Tsuboi / ツボイ ノゾム
第8著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 野本 隆宏 / Takahiro Nomoto / ノモト タカヒロ
第9著者 所属(和/英) 新潟大学 (略称: 新潟大)
Niigata University (略称: Niigata Univ.)
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講演者
発表日時 2012-10-26 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2012-95 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.265 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2012-10-19 


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