講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-10-25 15:45
AR-XPS及びHAX-PESによるSiO2/SiC界面の化学結合状態評価 ○岡田葉月・小松 新・渡辺将人(東京都市大)・泉 雄大・室 隆圭介(高輝度光科学研究センター)・澤野憲太郎・野平博司(東京都市大) SDM2012-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-90 |
抄録 |
(和) |
我々は、SPring-8のBL27SUでSiO2/SiCの角度分解X線光電子分光(AR-XPS)測定とエッチングにより酸化膜厚を変化させたSiO2/SiC界面構造を硬X線光電子分光法(HAX-PES)により調べた。これら測定から、SiO2/SiC界面にはサブオキサイドが存在することを見出した。また、SiC中のC-C結合およびSiO2中の炭素に起因すると考えられる信号を見出した。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
SiC / SiO2/SiC界面 / XPS / AR-XPS / HAX-PES / / / |
(英) |
SiC / SiO2/SiC / XPS / AR-XPS / HAX-PES / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 263, SDM2012-90, pp. 5-9, 2012年10月. |
資料番号 |
SDM2012-90 |
発行日 |
2012-10-18 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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