講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-10-25 16:35
半導体光アイソレータを用いたリングレーザの一方向発振化の研究 ○薄葉哲史・阪西祥平・坂東敬広・岡崎大輔・清水大雅(東京農工大) OCS2012-56 OPE2012-107 LQE2012-73 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2012-107 LQE2012-73 |
抄録 |
(和) |
半導体リングレーザは光フリップフロップメモリの実現に有力なデバイスである.しかしリングレーザは双方向で発振するため,多くのデバイスの集積化や入出力の分離が難しい.本研究では,半導体光アイソレータを半導体リングレーザに集積し,発振方向で異なる光利得を実現し,発振方向を一方向に限定する半導体リングレーザ素子の作製工程の確立を報告した. |
(英) |
Semiconductor Ring Lasers (SRLs) are important devices to realize optical flip-flop memories. However, it is difficult to separate optical input / output signals and integrate many devices because SRL’ oscillation direction is bidirectional. In this study, we have integrated semiconductor optical isolators with SRLs in order to implement different optical gain in an oscillation direction. We report fabrication process of unidirectional ring lasers. |
キーワード |
(和) |
半導体リングレーザ / 光アイソレータ / 強磁性金属 / 方向性結合器 / 光フリップフロップメモリ / / / |
(英) |
Semiconductor Ring Laser / Optical Isolator / Ferromagnetic metal / Directional couplers / Optical flip-flop memory / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 260, LQE2012-73, pp. 77-80, 2012年10月. |
資料番号 |
LQE2012-73 |
発行日 |
2012-10-18 (OCS, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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