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講演抄録/キーワード
講演名 2012-10-25 15:40
モートにおける磁束排除効果の形状依存性の数値解析
溝口翔太伊藤 大井上真澄藤巻 朗名大SCE2012-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2012-23
抄録 (和) 本研究では時間依存 Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値解析することにより,モートを形成した超伝導体薄膜におけるボルテックスの振る舞いを明らかにすることを目指す.ここでは外部磁場が0のときの超伝導転移後の超伝導体グランドプレーンにおいて,揺らぎにより生成されたボルテックスの軌道,速度,加速度のモート形状依存性について調査した.ボルテックスの生成された位置によりモートに向かい排斥される加速度の傾き,排斥軌道に違いがみられた.モート短辺の延長線二本の間の領域より外側で生成されたボルテックスはモートの角を避けるような軌道でモートへ排斥された.短辺延長線の間の領域で生成されたボルテックスは長辺に対して垂直な軌道でモートへ排斥された.ボルテックスの加速度の値は短辺の延長線間より外側にあるものほど加速度が小さくなり, 短辺の延長線間にあるものではモートの長辺方向の位置に依存しないことが確認できた. 
(英) We examine the behavior of vortices in superconducting thin films next to moats by numerical analysis using the time-dependent Ginzburg-Landau (TDGL) equation. In particular, we investigate the trajectory, velocity and acceleration of vortices in superconducting thin films after the transition to superconductors. It is found that the exclusion trajectory and acceleration differ depending on the position of the vortex generation. Vortices which were generated out of the region between two extended lines from the short sides of the moat, were excluded in the trajectory approaching the extended line into the moat. In contrast, vortices which were generated inside the region between two extended lines, were excluded with drawing trajectory vertical to the moat. The acceleration was smaller for the vortex generated out of the region of between the extended lines, as the position became farther from the extended line, whereas it was independent to the position along the long side of the moat for the vortex generated between the extended line.
キーワード (和) ボルテックス / TDGL方程式 / モート / 磁束排除効果 / 超伝導薄膜 / 単一量子磁束回路 / /  
(英) vortex / TDGL equation / moat / flux exclusion effect / superconducting thin films / SFQ circuit / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 262, SCE2012-23, pp. 37-42, 2012年10月.
資料番号 SCE2012-23 
発行日 2012-10-18 (SCE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SCE2012-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:SCE2012-23

研究会情報
研究会 SCE  
開催期間 2012-10-25 - 2012-10-25 
開催地(和) 機械振興会館地下3階1号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 超伝導エレクトロニクス基盤技術、一般 
テーマ(英) Fundamental Technologies for Superconducting Electronics, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SCE 
会議コード 2012-10-SCE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) モートにおける磁束排除効果の形状依存性の数値解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Numerical analysis on the moat shape dependence of the exclusion effect of magnetic field 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ボルテックス / vortex  
キーワード(2)(和/英) TDGL方程式 / TDGL equation  
キーワード(3)(和/英) モート / moat  
キーワード(4)(和/英) 磁束排除効果 / flux exclusion effect  
キーワード(5)(和/英) 超伝導薄膜 / superconducting thin films  
キーワード(6)(和/英) 単一量子磁束回路 / SFQ circuit  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 溝口 翔太 / Shota Mizoguchi / ミゾグチ ショウタ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 大 / Hiroshi Ito / イトウ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 真澄 / Masumi Inoue / イノウエ マスミ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者
発表日時 2012-10-25 15:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SCE 
資料番号 IEICE-SCE2012-23 
巻番号(vol) IEICE-112 
号番号(no) no.262 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SCE-2012-10-18 


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