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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-25 16:10 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）  SDM2012-91 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-91 |
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| 抄録 | （和） | SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留していることが指摘されているが、詳細な構造については明らかになっていない。そこで、我々は10 keVの高輝度放射光を光源とした微小角入射 X線回折法（GIXD）によりSiO2薄膜中の結晶様構造の評価を行った。その結果、回折パターンに鋭いピークが現れることを見出した。これは、SiO2薄膜中に配向した結晶様構造が存在することを示唆している。熱酸化法における回折パターンはクリストバライト結晶のものとほぼ同様の傾向を示している一方で、ラジカル酸化では明らかに熱酸化とは異なる回折プロファイルが得られ、SiO2薄膜中の結晶構造が主として酸化種の違いに依存していることを明らかにした。 |
| （英） | Crystalline like structures in SiO2 thin films formed using oxygen molecules/radicals were investigated by X-ray reflectometry (XRR) and grazing incident X-ray diffraction (GIXD) measurements. The structure of thermally grown SiO2 has been considered to be amorphous, however sharp diffraction peaks were observed in the films formed using both oxygen molecules and radicals. These peaks had preferential orientation and their positions mostly depended on oxidizing species. In the case of oxygen molecules, diffraction peak’s tended to reflect cristobalite structure. In addition, densities of these films were higher than that of amorphous SiO2 structure and changed as a function of the depth. Therefore, it was considered that the crystalline structure in SiO2 gave influence not only on the film density but also on the electrical/optical properties. | |
| キーワード | （和） | 微小角入射X線回折法 / シリコン酸化膜 / シンクロトロン放射光 / / / / / |
| （英） | Grazing incident X-ray diffraction / Silicon dioxide / Synchrotron radiation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 263, SDM2012-91, pp. 11-14, 2012年10月. | |
| 資料番号 | SDM2012-91 | |
| 発行日 | 2012-10-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-91 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-91 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-10-25 - 2012-10-26 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of crystalline phase in SiO2 thin film using grazing incidence X-ray diffraction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 微小角入射X線回折法 / Grazing incident X-ray diffraction |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン酸化膜 / Silicon dioxide |
| キーワード(3)（和/英） | シンクロトロン放射光 / Synchrotron radiation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 晃基 / Kohki Nagata / ナガタ コウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 拓也 / Takuya Yamaguchi / ヤマグチ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小金澤 智之 / Tomoyuki Koganezawa / コガネザワ トモユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) JASRI (略称： JASRI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣澤 一郎 / Ichiro Hirosawa / ヒロサワ イチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) JASRI (略称： JASRI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大未来研 (略称： 東北大) NICHe (略称： NICHe) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大未来研 (略称： 東北大) NICHe (略称： NICHe) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大未来研 (略称： 東北大) NICHe (略称： NICHe) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東北大未来研 (略称： 東北大) NICHe (略称： NICHe) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-25 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-91 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.263 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-10-18 (SDM) |
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