お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2012-10-22 14:25
レーザ誘起応力波による細胞への影響と外来物質の取り込み
竹内光恵小木美恵子會澤康治西村 駿木村政尊西脇基晃得永嘉昭金沢工大US2012-64
抄録 (和) 我々はこれまで、QスイッチNd:YAGパルスレーザによるレーザ誘起応力波(Laser induced emergent stress wave : LIESW)を用いた細胞への遺伝子導入の開発を行ってきた。しかし、LIESWによる遺伝子導入効率は数%と低く、まだ、解決しなければいけない問題が多くある。そこで、本研究では、この低い導入効率を向上させるための基礎研究として、光吸収体である黒色ゴムの厚さを変化させて、異なる波形のLIESWを発生させ、それぞれのLIESWが細胞の接着状態や外来物質の取り込みに及ぼす影響を調べた。 
(英) We have developed a method of the gene transfection that has used the laser induced emergent stress wave (LIESW) generating by the Q-switch Nd:YAG pulse laser. However, the transfection efficiency used LIESW has been low. We need improve many problems to establish a way with much higher efficiency. Therefore, in this study, we used some thickness natural rubber. We examined the effect and transfer of the foreign substance on HeLa cells by the acoustic signature of LIESW.
キーワード (和) Nd:YAGレーザ / LIESW / FITCデキストラン / / / / /  
(英) Nd:YAG laser / LIESW / FITCdextran / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 254, US2012-64, pp. 5-8, 2012年10月.
資料番号 US2012-64 
発行日 2012-10-15 (US) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2012-64

研究会情報
研究会 US  
開催期間 2012-10-22 - 2012-10-22 
開催地(和) 金沢工大 
開催地(英) Kanazawa Inst. Tech. 
テーマ(和) 一般 
テーマ(英) General 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2012-10-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) レーザ誘起応力波による細胞への影響と外来物質の取り込み 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Transfer of FITC dextran by LIESW on HeLa cells 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Nd:YAGレーザ / Nd:YAG laser  
キーワード(2)(和/英) LIESW / LIESW  
キーワード(3)(和/英) FITCデキストラン / FITCdextran  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 光恵 / Terue Takeuchi / タケウチ テルエ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小木 美恵子 / Mieko Kogi / コギ ミエコ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 會澤 康治 / Koji Aizawa / アイザワ コウジ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 駿 / Syun Nishimura / ニシムラ シュン
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 政尊 / Masataka Kimura / キムラ マサタカ
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 西脇 基晃 / Motoaki Nishiwaki / ニシワキ モトアキ
第6著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 得永 嘉昭 / Yoshiaki Tokunaga / トクナガ ヨシアキ
第7著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2012-10-22 14:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2012-64 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.254 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数
発行日 2012-10-15 (US) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会