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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-09-24 14:45 RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製 ○生駒 遼（同志社大）・柳谷隆彦（名工大）・高柳真司（同志社大）・鈴木雅視（名工大）・小田川裕之（熊本高専）・松川真美（同志社大）  US2012-61 |
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| 抄録 | （和） | ZnO結晶のc軸方向には極性があり，通常，スパッタ法などで作製したc軸配向ZnO薄膜は成長終端がZn極性面となるように成長する．一方で，これまでの研究から，AlNのスパッタ成膜中に基板へ酸素イオンを照射すると通常では現れない異常なN面極性AlN薄膜が成長することが分かっている．本研究では，ZnOにおいても，イオン照射により異常なO面極性ZnOが生じることを実験的に検証した．スパッタ成膜時の放電電力を調整して基板に照射されるイオンの照射量とエネルギーを変化させ，薄膜の極性に与える影響を調べた．基板に照射されるイオンの照射量とエネルギーはQ-mass付きエネルギーアナライザーで定量的に測定した．また，極性は薄膜に圧縮外力を加えた際の圧電応答電圧の正負から決定した．その結果，基板へのイオン照射量とエネルギーが増大すると通常では現れないO面極性を有するZnO薄膜が得られることが分かった．薄膜の極性制御技術は非線形光学デバイスや新たな圧電デバイスへの応用が期待できる． |
| （英） | ZnO have been used as SAW devices and high frequency transducer owing to its high electromechanical coupling. In general, ZnO films deposited by sputtering method have O-polar surface. On the other hand, it is known that AlN films deposited by sputtering have Al-polar surface. In case of AlN, we have reported that the O- negative ion bombardment induces unusual N-polar AlN film growth. We then considered that Zn- or O- polarization control could also be achieved by using ion bonbardment during RF magnetron sputtering. To investigate the contribution of positive and negative ion bombardment to O-polar ZnO films growth, two types of ZnO films were fabricated on Al film/silica glass substrates by changing RF power of 100 W or 200 W during RF magnetron sputtering. The amount of ion bombardment to the substrate surface was quantitatively measured using an energy analyzer with Q-mass. Polarization of the films was determined by piezoelectric response due to the compression stress applied to the specimen. As a result, we had succeed the fabracation of the unusual O-polar ZnO film under strong ion bonbardment condition. Control of Zn- or O-polar c-axis oriented ZnO films has a potential to realize new functional piezoelectric devices. | |
| キーワード | （和） | 極性反転 / ZnO薄膜 / イオン照射 / RFマグネトロンスパッタ法 / 厚み縦振動モード / / / |
| （英） | Polarization control / ZnO film / Ion bombardment / RF magnetron sputtering / Thickness extensional mode / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 213, US2012-61, pp. 21-25, 2012年9月. | |
| 資料番号 | US2012-61 | |
| 発行日 | 2012-09-17 (US) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2012-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2012-09-24 - 2012-09-24 |
| 開催地（和） | 秋田大学 手形キャンパス |
| 開催地（英） | Tegata Campus, Akita Univ. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | General |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2012-09-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of polarity-inverted ZnO films using ion bombardment to the substrate during an RF magnetron sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極性反転 / Polarization control |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO薄膜 / ZnO film |
| キーワード(3)（和/英） | イオン照射 / Ion bombardment |
| キーワード(4)（和/英） | RFマグネトロンスパッタ法 / RF magnetron sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | 厚み縦振動モード / Thickness extensional mode |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生駒 遼 / Ryo Ikoma / イコマ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst.Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 真司 / Shinji Takayanagi / タカヤナギ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 雅視 / Masashi Suzuki / スズキ マサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst.Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田川 裕之 / Hiroyuki Odagawa / オダガワ ヒロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 熊本工業専門学校 (略称： 熊本高専) Kumamoto National College of Technology (略称： Kumamoto NCT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 真美 / Mami Matsukawa / マツカワ マミ |
| 第6著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-09-24 14:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2012-61 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.213 |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-09-17 (US) |
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